WSD2090DN56 N-चॅनेल 20V ​​80A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

उत्पादने

WSD2090DN56 N-चॅनेल 20V ​​80A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

संक्षिप्त वर्णन:


  • मॉडेल क्रमांक:WSD2090DN56
  • BVDSS:20V
  • RDSON:2.8mΩ
  • आयडी:80A
  • चॅनल:एन-चॅनेल
  • पॅकेज:DFN5*6-8
  • उत्पादनाचा सारांश:WSD2090DN56 MOSFET चा व्होल्टेज 20V आहे, वर्तमान 80A आहे, प्रतिकार 2.8mΩ आहे, चॅनेल N-चॅनेल आहे आणि पॅकेज DFN5*6-8 आहे.
  • अर्ज:इलेक्ट्रॉनिक सिगारेट, ड्रोन, इलेक्ट्रिकल टूल्स, फॅसिआ गन, पीडी, लहान घरगुती उपकरणे इ.
  • उत्पादन तपशील

    अर्ज

    उत्पादन टॅग

    सामान्य वर्णन

    WSD2090DN56 हे अत्यंत उच्च सेल घनतेसह सर्वोच्च कार्यप्रदर्शन ट्रेंच N-Ch MOSFET आहे, जे बहुतेक सिंक्रोनस बक कन्व्हर्टर अनुप्रयोगांसाठी उत्कृष्ट RDSON आणि गेट चार्ज प्रदान करते. WSD2090DN56 RoHS आणि ग्रीन उत्पादन आवश्यकता पूर्ण करते 100% EAS हमी पूर्ण कार्य विश्वासार्हतेसह मंजूर.

    वैशिष्ट्ये

    प्रगत उच्च सेल घनता ट्रेंच तंत्रज्ञान, सुपर लो गेट चार्ज, उत्कृष्ट CdV/dt प्रभाव घट, 100% EAS गॅरंटीड, ग्रीन डिव्हाइस उपलब्ध

    अर्ज

    स्विच, पॉवर सिस्टम, लोड स्विच, इलेक्ट्रॉनिक सिगारेट, ड्रोन, इलेक्ट्रिकल टूल्स, फॅसिआ गन, पीडी, लहान घरगुती उपकरणे इ.

    संबंधित सामग्री क्रमांक

    AOS AON6572

    महत्वाचे पॅरामीटर्स

    परिपूर्ण कमाल रेटिंग (TC=25℃अन्यथा नमूद केल्याशिवाय)

    प्रतीक पॅरामीटर कमाल युनिट्स
    VDSS ड्रेन-स्रोत व्होल्टेज 20 V
    VGSS गेट-स्रोत व्होल्टेज ±१२ V
    ID@TC=25℃ सतत ड्रेन करंट, VGS @ 10V1 80 A
    ID@TC=100℃ सतत ड्रेन करंट, VGS @ 10V1 59 A
    IDM स्पंदित ड्रेन करंट नोट1 ३६० A
    ईएएस सिंगल स्पंदित हिमस्खलन ऊर्जा नोट2 110 mJ
    PD शक्तीचा अपव्यय 81 W
    RθJA थर्मल रेझिस्टन्स, जंक्शन ते केस 65 ℃/W
    RθJC थर्मल रेझिस्टन्स जंक्शन-केस 1 4 ℃/W
    TJ, TSTG ऑपरेटिंग आणि स्टोरेज तापमान श्रेणी -55 ते +175

    इलेक्ट्रिकल वैशिष्ट्ये (TJ=25 ℃, अन्यथा लक्षात घेतल्याशिवाय)

    प्रतीक पॅरामीटर अटी मि टाइप करा कमाल युनिट्स
    BVDSS ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन व्होल्टेज VGS=0V, ID=250μA 20 24 --- V
    △BVDSS/△TJ BVDSS तापमान गुणांक 25℃ , ID=1mA चा संदर्भ --- ०.०१८ --- V/℃
    VGS(th) गेट थ्रेशोल्ड व्होल्टेज VDS= VGS, ID=250μA ०.५० ०.६५ १.० V
    RDS(चालू) स्टॅटिक ड्रेन-स्रोत ऑन-रेझिस्टन्स VGS=4.5V, ID=30A --- २.८ ४.०
    RDS(चालू) स्टॅटिक ड्रेन-स्रोत ऑन-रेझिस्टन्स VGS=2.5V, ID=20A --- ४.० ६.०
    IDSS झिरो गेट व्होल्टेज ड्रेन करंट VDS=20V,VGS=0V --- --- 1 μA
    IGSS गेट-बॉडी लीकेज करंट VGS=±10V, VDS=0V --- --- ±100 nA
    Ciss इनपुट कॅपेसिटन्स VDS=10V,VGS=0V,f=1MHZ --- ३२०० --- pF
    कॉस आउटपुट कॅपेसिटन्स --- 460 ---
    Crss रिव्हर्स ट्रान्सफर कॅपेसिटन्स --- ४४६ ---
    Qg एकूण गेट शुल्क VGS=4.5V,VDS=10V,ID=30A --- ११.०५ --- nC
    Qgs गेट-स्रोत शुल्क --- १.७३ ---
    Qgd गेट-ड्रेन चार्ज --- ३.१ ---
    tD(चालू) विलंब वेळ चालू करा VGS=4.5V, VDS=10V, ID=30ARGEN=1.8Ω --- ९.७ --- ns
    tr वाढण्याची वेळ चालू करा --- 37 ---
    tD(बंद) टर्न-ऑफ विलंब वेळ --- 63 ---
    tf बंद पडण्याची वेळ --- 52 ---
    VSD डायोड फॉरवर्ड व्होल्टेज IS=7.6A,VGS=0V --- --- १.२ V

  • मागील:
  • पुढील:

  • तुमचा संदेश इथे लिहा आणि आम्हाला पाठवा