WSD20L120DN56 P-चॅनेल -20V -120A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET
सामान्य वर्णन
WSD20L120DN56 हे उच्च-घनता सेल स्ट्रक्चरसह उच्च-कार्यक्षम P-Ch MOSFET आहे, जे बहुतेक सिंक्रोनस बक कन्व्हर्टर वापरासाठी उत्कृष्ट RDSON आणि गेट चार्ज देते.WSD20L120DN56 RoHS आणि पर्यावरणास अनुकूल उत्पादनांसाठी 100% EAS आवश्यकता पूर्ण करते, पूर्ण-फंक्शन विश्वसनीयता मंजुरीसह.
वैशिष्ट्ये
1, प्रगत उच्च सेल घनता ट्रेंच तंत्रज्ञान
2, सुपर लो गेट चार्ज
3, उत्कृष्ट CdV/dt प्रभाव घट
4, 100% EAS गॅरंटीड 5, ग्रीन डिव्हाइस उपलब्ध
अर्ज
एमबी/एनबी/यूएमपीसी/व्हीजीए, नेटवर्किंग डीसी-डीसी पॉवर सिस्टम, लोड स्विच, ई-सिगारेट, वायरलेस चार्जर, मोटर्स, ड्रोन, मेडिकल, कार चार्जर, कंट्रोलर, डिजिटल उत्पादने, यासाठी हाय फ्रिक्वेन्सी पॉइंट-ऑफ-लोड सिंक्रोनस बक कन्व्हर्टर, लहान घरगुती उपकरणे, ग्राहक इलेक्ट्रॉनिक्स.
संबंधित सामग्री क्रमांक
AOS AON6411, NIKO PK5A7BA
महत्वाचे पॅरामीटर्स
| चिन्ह | पॅरामीटर | रेटिंग | युनिट्स | |
| 10s | स्थिर स्थिती | |||
| VDS | ड्रेन-स्रोत व्होल्टेज | -20 | V | |
| VGS | गेट-स्रोत व्होल्टेज | ±१० | V | |
| ID@TC=25℃ | सतत ड्रेन करंट, VGS @ -10V1 | -120 | A | |
| ID@TC=100℃ | सतत ड्रेन करंट, VGS @ -10V1 | -६९.५ | A | |
| ID@TA=25℃ | सतत ड्रेन करंट, VGS @ -10V1 | -25 | -22 | A |
| ID@TA=70℃ | सतत ड्रेन करंट, VGS @ -10V1 | -24 | -18 | A |
| IDM | स्पंदित ड्रेन करंट2 | -३४० | A | |
| ईएएस | सिंगल पल्स हिमस्खलन ऊर्जा3 | 300 | mJ | |
| आयएएस | हिमस्खलन करंट | -36 | A | |
| PD@TC=25℃ | एकूण उर्जा अपव्यय ४ | 130 | W | |
| PD@TA=25℃ | एकूण उर्जा अपव्यय ४ | ६.८ | ६.२५ | W |
| TSTG | स्टोरेज तापमान श्रेणी | -55 ते 150 | ℃ | |
| TJ | ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान श्रेणी | -55 ते 150 | ℃ | |
| चिन्ह | पॅरामीटर | परिस्थिती | मि. | टाइप करा. | कमाल | युनिट |
| BVDSS | ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन व्होल्टेज | VGS=0V , ID=-250uA | -20 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS तापमान गुणांक | 25℃ , ID=-1mA चा संदर्भ | --- | -०.०२१२ | --- | V/℃ |
| RDS(चालू) | स्टॅटिक ड्रेन-स्रोत ऑन-रेझिस्टन्स2 | VGS=-4.5V , ID=-20A | --- | २.१ | २.७ | mΩ |
| VGS=-2.5V , ID=-20A | --- | २.८ | ३.७ | |||
| VGS(th) | गेट थ्रेशोल्ड व्होल्टेज | VGS=VDS , ID =-250uA | -0.4 | -0.6 | -1.0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th) तापमान गुणांक | --- | ४.८ | --- | mV/℃ | |
| IDSS | ड्रेन-स्रोत गळती करंट | VDS=-20V , VGS=0V , TJ=25℃ | --- | --- | -1 | uA |
| VDS=-20V , VGS=0V , TJ=55℃ | --- | --- | -6 | |||
| IGSS | गेट-स्रोत गळती करंट | VGS=±20V , VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | फॉरवर्ड ट्रान्सकंडक्टन्स | VDS=-5V , ID=-20A | --- | 100 | --- | S |
| Rg | गेट प्रतिकार | VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 2 | 5 | Ω |
| Qg | एकूण गेट चार्ज (-4.5V) | VDS=-10V , VGS=-4.5V , ID=-20A | --- | 100 | --- | nC |
| Qgs | गेट-स्रोत शुल्क | --- | 21 | --- | ||
| Qgd | गेट-ड्रेन चार्ज | --- | 32 | --- | ||
| Td(चालू) | टर्न-ऑन विलंब वेळ | VDD=-10V , VGEN=-4.5V , RG=3Ω ID=-1A ,RL=0.5Ω | --- | 20 | --- | ns |
| Tr | उठण्याची वेळ | --- | 50 | --- | ||
| Td(बंद) | टर्न-ऑफ विलंब वेळ | --- | 100 | --- | ||
| Tf | गडी बाद होण्याचा क्रम | --- | 40 | --- | ||
| Ciss | इनपुट कॅपेसिटन्स | VDS=-10V , VGS=0V , f=1MHz | --- | ४९५० | --- | pF |
| कॉस | आउटपुट कॅपेसिटन्स | --- | ३८० | --- | ||
| Crss | रिव्हर्स ट्रान्सफर कॅपेसिटन्स | --- | 290 | --- |
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