• फेसबुक
  • लिंक्डइन
  • twitter
  • YouTube
  • इन्स्टाग्राम
Email:business@olukey.com
English
WSD30140DN56 N-चॅनेल 30V 85A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

उत्पादने

WSD30140DN56 N-चॅनेल 30V 85A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

WSD30140DN56 N-चॅनेल 30V 85A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET वैशिष्ट्यीकृत प्रतिमा
  • WSD30140DN56 N-चॅनेल 30V 85A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

संक्षिप्त वर्णन:


  • नमूना क्रमांक:WSD30140DN56
  • BVDSS:30V
  • RDSON:1.7mΩ
  • आयडी:85A
  • चॅनल:एन-चॅनेल
  • पॅकेज:DFN5*6-8
  • उत्पादनाचा सारांश:WSD30140DN56 MOSFET चा व्होल्टेज 30V आहे, वर्तमान 85A आहे, प्रतिकार 1.7mΩ आहे, चॅनेल N-चॅनेल आहे आणि पॅकेज DFN5*6-8 आहे.
  • अर्ज:इलेक्ट्रॉनिक सिगारेट, वायरलेस चार्जर, ड्रोन, वैद्यकीय सेवा, कार चार्जर, कंट्रोलर, डिजिटल उत्पादने, छोटी उपकरणे, ग्राहक इलेक्ट्रॉनिक्स इ.
    • PDF

    उत्पादन तपशील

    अर्ज

    उत्पादन टॅग

    सामान्य वर्णन

    WSD30140DN56 हे उच्च कार्यक्षमतेचे ट्रेंच N-चॅनेल MOSFET आहे ज्यामध्ये सेल घनता जास्त आहे आणि बहुतेक सिंक्रोनस बक कन्व्हर्टर ऍप्लिकेशन्ससाठी उत्कृष्ट RDSON आणि गेट चार्ज प्रदान करते.WSD30140DN56 RoHS आणि ग्रीन उत्पादन आवश्यकतांचे पालन करते, 100% EAS हमी, पूर्ण कार्य विश्वसनीयता मंजूर.

    वैशिष्ट्ये

    प्रगत उच्च सेल घनता ट्रेंच तंत्रज्ञान, अल्ट्रा-लो गेट चार्ज, उत्कृष्ट CdV/dt प्रभाव क्षीणन, 100% EAS हमी, हिरवी उपकरणे उपलब्ध

    अर्ज

    उच्च-फ्रिक्वेंसी पॉइंट-ऑफ-लोड सिंक्रोनाइझेशन, बक कन्व्हर्टर्स, नेटवर्क डीसी-डीसी पॉवर सिस्टम, इलेक्ट्रिक टूल अॅप्लिकेशन्स, इलेक्ट्रॉनिक सिगारेट, वायरलेस चार्जिंग, ड्रोन, वैद्यकीय सेवा, कार चार्जिंग, कंट्रोलर्स, डिजिटल उत्पादने, छोटी उपकरणे, ग्राहक इलेक्ट्रॉनिक्स

    संबंधित सामग्री क्रमांक

    AO AON6312, AON6358, AON6360, AON6734, AON6792, AONS36314.NTMFS4847N वर.विशय सिरा ६२डीपी.ST STL86N3LLH6AG.INFINEON BSC050N03MSG.TI CSD17327Q5A, CSD17327Q5A, CSD17307Q5A.NXP PH2520U.तोशिबा TPH4R803PL TPH3R203NL.ROHM RS1E281BN, RS1E280BN, RS1E280GN, RS1E301GN, RS1E321GN, RS1E350BN, RS1E350GN.पंजीत PJQ5410.AP AP3D5R0MT.NIKO PK610SA, PK510BA.POTENS PDC3803R

    महत्वाचे पॅरामीटर्स

    चिन्ह पॅरामीटर रेटिंग युनिट्स
    VDS ड्रेन-स्रोत व्होल्टेज 30 V
    VGS गेट-स्रोत व्होल्टेज ±२० V
    ID@TC=25℃ सतत ड्रेन करंट, VGS @ 10V1,7 85 A
    ID@TC=70℃ सतत ड्रेन करंट, VGS @ 10V1,7 65 A
    IDM स्पंदित ड्रेन करंट2 300 A
    PD@TC=25℃ एकूण उर्जा अपव्यय ४ 50 W
    TSTG स्टोरेज तापमान श्रेणी -55 ते 150 ℃
    TJ ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान श्रेणी -55 ते 150 ℃
    चिन्ह पॅरामीटर परिस्थिती मि. टाइप करा. कमाल युनिट
    BVDSS ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन व्होल्टेज VGS=0V , ID=250uA 30 --- --- V
    △BVDSS/△TJ BVDSS तापमान गुणांक 25℃, ID=1mA चा संदर्भ --- ०.०२ --- V/℃
    RDS(चालू) स्टॅटिक ड्रेन-स्रोत ऑन-रेझिस्टन्स2 VGS=10V , ID=20A --- १.७ २.४ mΩ
    VGS=4.5V , ID=15A 2.5 ३.३
    VGS(th) गेट थ्रेशोल्ड व्होल्टेज VGS=VDS , ID =250uA १.२ १.७ 2.5 V
    ड्रेन-स्रोत गळती करंट VDS=24V , VGS=0V , TJ=25℃ --- --- 1 uA
    IDSS VDS=24V , VGS=0V , TJ=55℃ --- --- 5
    IGSS गेट-स्रोत गळती करंट VGS=±20V , VDS=0V --- --- ±100 nA
    gfs फॉरवर्ड ट्रान्सकंडक्टन्स VDS=5V , ID=20A --- 90 --- S
    Qg एकूण गेट चार्ज (4.5V) VDS=15V , VGS=4.5V , ID=20A --- 26 --- nC
    Qgs गेट-स्रोत शुल्क --- ९.५ ---
    Qgd गेट-ड्रेन चार्ज --- 11.4 ---
    Td(चालू) टर्न-ऑन विलंब वेळ VDD=15V , VGEN=10V , RG=3Ω, RL=0.75Ω. --- 11 --- ns
    Tr उठण्याची वेळ --- 6 ---
    Td(बंद) टर्न-ऑफ विलंब वेळ --- ३८.५ ---
    Tf गडी बाद होण्याचा क्रम --- 10 ---
    Ciss इनपुट कॅपेसिटन्स VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz --- 3000 --- pF
    कॉस आउटपुट कॅपेसिटन्स --- १२८० ---
    Crss रिव्हर्स ट्रान्सफर कॅपेसिटन्स --- 160 ---
  • मागील:
  • पुढे:
    • तुमचा संदेश इथे लिहा आणि आम्हाला पाठवा

    उत्पादनश्रेणी

    शोधण्यासाठी एंटर दाबा किंवा बंद करण्यासाठी ESC दाबा