WSD30150DN56 N-चॅनेल 30V 150A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET उत्पादन विहंगावलोकन
WSD30150DN56 MOSFET चा व्होल्टेज 30V आहे, वर्तमान 150A आहे, प्रतिकार 1.8mΩ आहे, चॅनेल N-चॅनेल आहे आणि पॅकेज DFN5X6-8 आहे.
WINSOK MOSFET अनुप्रयोग क्षेत्र
E-सिगारेट MOSFET, वायरलेस चार्जिंग MOSFET, ड्रोन MOSFET, वैद्यकीय सेवा MOSFET, कार चार्जर्स MOSFET, नियंत्रक MOSFET, डिजिटल उत्पादने MOSFET, लहान घरगुती उपकरणे MOSFET, ग्राहक इलेक्ट्रॉनिक्स MOSFET.
WINSOK MOSFET इतर ब्रँड मटेरियल नंबरशी संबंधित आहे
AOS MOSFET AON6512, AONS3234.
ओनसेमी, फेअरचाइल्ड मॉस्फेट एफडीएमसी81डीसीसीएम.
NXP MOSFET PSMN1R7-3YL.
तोशिबा मॉस्फेट TPH1R43NL.
पंजीत मॉस्फेट पीजेक्यू५४२८.
NIKO-SEM MOSFET PKC26BB, PKE24BB.
POTENS सेमीकंडक्टर MOSFET PDC392X.
MOSFET पॅरामीटर्स
| प्रतीक | पॅरामीटर | रेटिंग | युनिट्स |
| VDS | ड्रेन-स्रोत व्होल्टेज | 30 | V |
| VGS | गेट-सौrसीई व्होल्टेज | ±20 | V |
| ID@TC=२५℃ | सतत ड्रेन करंट, व्हीGS@ 10V१,७ | 150 | A |
| ID@TC=100℃ | सतत ड्रेन करंट, व्हीGS@ 10V१,७ | 83 | A |
| IDM | स्पंदित निचरा प्रवाह2 | 200 | A |
| ईएएस | सिंगल पल्स हिमस्खलन ऊर्जा3 | 125 | mJ |
| आयएएस | हिमस्खलन करंट | 50 | A |
| PD@TC=२५℃ | एकूण शक्तीचा अपव्यय4 | ६२.५ | W |
| TSTG | स्टोरेज तापमान श्रेणी | -55 ते 150 | ℃ |
| TJ | ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान श्रेणी | -55 ते 150 | ℃ |
| प्रतीक | पॅरामीटर | अटी | मि. | टाइप करा. | कमाल | युनिट |
| BVडीएसएस | ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन व्होल्टेज | VGS=0V, ID=250uA | 30 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVडीएसएसतापमान गुणांक | 25 चा संदर्भ℃, आयD=1mA | --- | ०.०२ | --- | V/℃ |
| RDS(चालू) | स्टॅटिक ड्रेन-स्रोत ऑन-रेझिस्टन्स2 | VGS=10V, ID=२०अ | --- | १.८ | २.४ | mΩ |
| VGS=4.5V, ID=15A | २.४ | ३.२ | ||||
| VGS(th) | गेट थ्रेशोल्ड व्होल्टेज | VGS=VDS, आयD=250uA | १.४ | १.७ | २.५ | V |
| △VGS(th) | VGS(th)तापमान गुणांक | --- | -6.1 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | ड्रेन-स्रोत गळती करंट | VDS=24V , VGS=0V , TJ=२५℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=24V , VGS=0V , TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | गेट-स्रोत गळती करंट | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | फॉरवर्ड ट्रान्सकंडक्टन्स | VDS=5V, ID=10A | --- | 27 | --- | S |
| Rg | गेट प्रतिकार | VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz | --- | ०.८ | 1.5 | Ω |
| Qg | एकूण गेट चार्ज (4.5V) | VDS=15V , VGS=4.5V, ID=३०अ | --- | 26 | --- | nC |
| Qgs | गेट-स्रोत शुल्क | --- | ९.५ | --- | ||
| Qgd | गेट-ड्रेन चार्ज | --- | 11.4 | --- | ||
| Td(चालू) | टर्न-ऑन विलंब वेळ | VDD=15V , VGEN=10V , RG=6Ω, आयD=1A, RL=15Ω. | --- | 20 | --- | ns |
| Tr | उठण्याची वेळ | --- | 12 | --- | ||
| Td(बंद) | टर्न-ऑफ विलंब वेळ | --- | 69 | --- | ||
| Tf | गडी बाद होण्याचा क्रम | --- | 29 | --- | ||
| Ciss | इनपुट कॅपेसिटन्स | VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz | २५६० | ३२०० | ३८५० | pF |
| कॉस | आउटपुट कॅपेसिटन्स | ५६० | ६८० | 800 | ||
| Cआरएसएस | रिव्हर्स ट्रान्सफर कॅपेसिटन्स | 260 | 320 | ४२० |
