WSD40120DN56G N-चॅनेल 40V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

उत्पादने

WSD40120DN56G N-चॅनेल 40V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

संक्षिप्त वर्णन:

भाग क्रमांक:WSD40120DN56G

BVDSS:40V

आयडी:120A

RDSON:1.4mΩ 

चॅनल:एन-चॅनेल

पॅकेज:DFN5X6-8


उत्पादन तपशील

अर्ज

उत्पादन टॅग

WINSOK MOSFET उत्पादन विहंगावलोकन

WSD40120DN56G MOSFET चा व्होल्टेज 40V आहे, वर्तमान 120A आहे, प्रतिकार 1.4mΩ आहे, चॅनेल N-चॅनेल आहे आणि पॅकेज DFN5X6-8 आहे.

WINSOK MOSFET अनुप्रयोग क्षेत्र

ई-सिगारेट MOSFET, वायरलेस चार्जिंग MOSFET, ड्रोन MOSFET, वैद्यकीय सेवा MOSFET, कार चार्जर्स MOSFET, नियंत्रक MOSFET, डिजिटल उत्पादने MOSFET, लहान घरगुती उपकरणे MOSFET, ग्राहक इलेक्ट्रॉनिक्स MOSFET.

WINSOK MOSFET इतर ब्रँड सामग्री क्रमांकाशी संबंधित आहे

AOS MOSFET AON6234,AON6232,AON623.STMicroelectronics MOSFET STL14N4F7AG.POTENS सेमीकंडक्टर MOSFET PDC496X.

MOSFET पॅरामीटर्स

चिन्ह

पॅरामीटर

रेटिंग

युनिट्स

VDS

ड्रेन-स्रोत व्होल्टेज

40

V

VGS

गेट-सौrसीई व्होल्टेज

±20

V

ID@TC=२५

सतत ड्रेन करंट, व्हीGS@ 10V1

120

A

ID@TC=100

सतत ड्रेन करंट, व्हीGS@ 10V1

82

A

IDM

स्पंदित ड्रेन करंट2

400

A

ईएएस

सिंगल पल्स हिमस्खलन ऊर्जा3

400

mJ

आयएएस

हिमस्खलन करंट

40

A

PD@TC=२५

एकूण शक्तीचा अपव्यय4

125

W

TSTG

स्टोरेज तापमान श्रेणी

-55 ते 150

TJ

ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान श्रेणी

-55 ते 150

 

चिन्ह

पॅरामीटर

परिस्थिती

मि.

टाइप करा.

कमाल

युनिट

BVडीएसएस

ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन व्होल्टेज VGS=0V, ID=250uA

40

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVडीएसएसतापमान गुणांक 25 चा संदर्भ, आयD=1mA

---

०.०४३

---

V/

RDS(चालू)

स्टॅटिक ड्रेन-स्रोत ऑन-रेझिस्टन्स2 VGS=10V , ID=२०अ

---

१.४

१.८

mΩ

RDS(चालू)

स्टॅटिक ड्रेन-स्रोत ऑन-रेझिस्टन्स2 VGS=4.5V , ID=२०अ

---

२.०

२.६

VGS(th)

गेट थ्रेशोल्ड व्होल्टेज VGS=VDS, आयD=250uA

१.२

१.६

२.२

V

VGS(th)

VGS(th)तापमान गुणांक

---

-6.94

---

mV/

IDSS

ड्रेन-स्रोत गळती करंट VDS=32V , VGS=0V , TJ=२५

---

---

1

uA

VDS=32V , VGS=0V , TJ=55

---

---

5

IGSS

गेट-स्रोत गळती करंट VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

gfs

फॉरवर्ड ट्रान्सकंडक्टन्स VDS=5V, ID=२०अ

---

53

---

S

Rg

गेट प्रतिकार VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz

---

१.०

---

Ω

Qg

एकूण गेट चार्ज (10V) VDS=15V , VGS=10V, ID=२०अ

---

45

---

nC

Qgs

गेट-स्रोत शुल्क

---

12

---

Qgd

गेट-ड्रेन चार्ज

---

१८.५

---

Td(चालू)

टर्न-ऑन विलंब वेळ VDD=15V , VGEN=10V , RG=3.3Ω, आयD=20A ,RL=15Ω.

---

१८.५

---

ns

Tr

उठण्याची वेळ

---

9

---

Td(बंद)

टर्न-ऑफ विलंब वेळ

---

५८.५

---

Tf

गडी बाद होण्याचा क्रम

---

32

---

Ciss

इनपुट कॅपेसिटन्स VDS=20V , VGS=0V , f=1MHz --- ३९७२ ---

pF

कॉस

आउटपुट कॅपेसिटन्स

---

1119 ---

Cआरएसएस

रिव्हर्स ट्रान्सफर कॅपेसिटन्स

---

82

---

  • मागील:
  • पुढे:

  • तुमचा संदेश इथे लिहा आणि आम्हाला पाठवा