WSD6040DN56 N-चॅनेल 60V 36A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET उत्पादन विहंगावलोकन
WSD6040DN56 MOSFET चा व्होल्टेज 60V आहे, वर्तमान 36A आहे, प्रतिकार 14mΩ आहे, चॅनेल N-चॅनेल आहे आणि पॅकेज DFN5X6-8 आहे.
WINSOK MOSFET अनुप्रयोग क्षेत्र
ई-सिगारेट MOSFET, वायरलेस चार्जिंग MOSFET, मोटर्स MOSFET, ड्रोन MOSFET, वैद्यकीय सेवा MOSFET, कार चार्जर्स MOSFET, नियंत्रक MOSFET, डिजिटल उत्पादने MOSFET, लहान घरगुती उपकरणे MOSFET, ग्राहक इलेक्ट्रॉनिक्स MOSFET.
WINSOK MOSFET इतर ब्रँड मटेरियल नंबरशी संबंधित आहे
AOS MOSFET AON6264C,AON6264E,AON6266E,AONS6662.STMicroelectronics MOSFET STL8DN6LF6AG.PANJIT MOSFET PSMQC12N6LS1.POTENS सेमीकंडक्टर MOSFET PDC696
MOSFET पॅरामीटर्स
| प्रतीक | पॅरामीटर | रेटिंग | युनिट्स | ||
| VDS | ड्रेन-स्रोत व्होल्टेज | 60 | V | ||
| VGS | गेट-स्रोत व्होल्टेज | ±२० | V | ||
| ID | सतत ड्रेन करंट | TC=25°C | 36 | A | |
| TC=100°C | 22 | ||||
| ID | सतत ड्रेन करंट | TA=25°C | ८.४ | A | |
| TA=100°C | ६.८ | ||||
| IDMa | स्पंदित निचरा प्रवाह | TC=25°C | 140 | A | |
| PD | जास्तीत जास्त पॉवर डिसिपेशन | TC=25°C | ३७.८ | W | |
| TC=100°C | १५.१ | ||||
| PD | जास्तीत जास्त पॉवर डिसिपेशन | TA=25°C | २.०८ | W | |
| TA=70°C | १.३३ | ||||
| IAS c | हिमस्खलन करंट, सिंगल पल्स | L=0.5mH | 16 | A | |
| ईएएसc | सिंगल पल्स हिमस्खलन ऊर्जा | L=0.5mH | 64 | mJ | |
| IS | डायोड सतत फॉरवर्ड करंट | TC=25°C | 18 | A | |
| TJ | कमाल जंक्शन तापमान | 150 | ℃ | ||
| TSTG | स्टोरेज तापमान श्रेणी | -55 ते 150 | ℃ | ||
| RθJAb | सभोवतालचे थर्मल रेझिस्टन्स जंक्शन | स्थिर स्थिती | 60 | ℃/W | |
| RθJC | थर्मल रेझिस्टन्स-जंक्शन ते केस | स्थिर स्थिती | ३.३ | ℃/W | |
| प्रतीक | पॅरामीटर | अटी | मि. | टाइप करा. | कमाल | युनिट | |
| स्थिर | |||||||
| V(BR)DSS | ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन व्होल्टेज | VGS = 0V, ID = 250μA | 60 | V | |||
| IDSS | झिरो गेट व्होल्टेज ड्रेन करंट | VDS = 48 V, VGS = 0V | 1 | µA | |||
| TJ=85°C | 30 | ||||||
| IGSS | गेट लीकेज करंट | VGS = ±20V, VDS = 0V | ±100 | nA | |||
| वैशिष्ट्यांवर | |||||||
| VGS(TH) | गेट थ्रेशोल्ड व्होल्टेज | VGS = VDS, IDS = 250µA | 1 | १.६ | २.५ | V | |
| RDS(चालू)d | ड्रेन-स्रोत ऑन-स्टेट प्रतिकार | VGS = 10V, ID = 25A | 14 | १७.५ | mΩ | ||
| VGS = 4.5V, ID = 20A | 19 | 22 | mΩ | ||||
| स्विचिंग | |||||||
| Qg | एकूण गेट शुल्क | VDS=30V VGS=10V ID=25A | 42 | nC | |||
| Qgs | गेट-आंबट शुल्क | ६.४ | nC | ||||
| Qgd | गेट-ड्रेन चार्ज | ९.६ | nC | ||||
| td (चालू) | विलंब वेळ चालू करा | VGEN=10V VDD=30V ID=1A RG=6Ω RL=30Ω | 17 | ns | |||
| tr | वाढण्याची वेळ चालू करा | 9 | ns | ||||
| td(बंद) | टर्न-ऑफ विलंब वेळ | 58 | ns | ||||
| tf | बंद पडण्याची वेळ | 14 | ns | ||||
| Rg | गॅट प्रतिकार | VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz | 1.5 | Ω | |||
| गतिमान | |||||||
| Ciss | Capacitance मध्ये | VGS=0V VDS=30V f=1MHz | 2100 | pF | |||
| कॉस | आउट कॅपेसिटन्स | 140 | pF | ||||
| Crss | रिव्हर्स ट्रान्सफर कॅपेसिटन्स | 100 | pF | ||||
| ड्रेन-स्रोत डायोड वैशिष्ट्ये आणि कमाल रेटिंग | |||||||
| IS | सतत स्रोत वर्तमान | VG=VD=0V , फोर्स करंट | 18 | A | |||
| ISM | स्पंदित स्त्रोत वर्तमान3 | 35 | A | ||||
| VSDd | डायोड फॉरवर्ड व्होल्टेज | ISD = 20A , VGS=0V | ०.८ | १.३ | V | ||
| trr | उलट पुनर्प्राप्ती वेळ | ISD=25A, dlSD/dt=100A/µs | 27 | ns | |||
| Qrr | रिव्हर्स रिकव्हरी चार्ज | 33 | nC | ||||
