WSD75100DN56 N-चॅनेल 75V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET उत्पादन विहंगावलोकन
WSD75100DN56 MOSFET चा व्होल्टेज 75V आहे, वर्तमान 100A आहे, प्रतिकार 5.3mΩ आहे, चॅनेल N-चॅनेल आहे आणि पॅकेज DFN5X6-8 आहे.
WINSOK MOSFET अनुप्रयोग क्षेत्र
ई-सिगारेट MOSFET, वायरलेस चार्जिंग MOSFET, ड्रोन MOSFET, वैद्यकीय सेवा MOSFET, कार चार्जर्स MOSFET, नियंत्रक MOSFET, डिजिटल उत्पादने MOSFET, लहान घरगुती उपकरणे MOSFET, ग्राहक इलेक्ट्रॉनिक्स MOSFET.
WINSOK MOSFET इतर ब्रँड मटेरियल नंबरशी संबंधित आहे
AOS MOSFET AON6276,AON6278,AON628,AON6282,AON6448.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NVMFS6H824N.STMicroelectronics MOSFET STL1N8F7.INFINION,IR MOSFET3GNE, IR2BSCNE3GNE डक्टर MOSFET PDC7966X.
MOSFET पॅरामीटर्स
| प्रतीक | पॅरामीटर | रेटिंग | युनिट्स |
| VDS | ड्रेन-स्रोत व्होल्टेज | 75 | V |
| VGS | गेट-सौrसीई व्होल्टेज | ±25 | V |
| TJ | कमाल जंक्शन तापमान | 150 | °C |
| ID | स्टोरेज तापमान श्रेणी | -55 ते 150 | °C |
| IS | डायोड कंटिन्युअस फॉरवर्ड करंट, टीC=25°C | 50 | A |
| ID | सतत ड्रेन करंट, व्हीGS=10V,TC=25°C | 100 | A |
| सतत ड्रेन करंट, व्हीGS=10V,TC=100°C | 73 | A | |
| IDM | स्पंदित ड्रेन करंट, टीC=25°C | 400 | A |
| PD | जास्तीत जास्त पॉवर डिसिपेशन, टीC=25°C | १५५ | W |
| जास्तीत जास्त पॉवर डिसिपेशन, टीC=100°C | 62 | W | |
| RθJA | थर्मल रेझिस्टन्स-जंक्शन ते ॲम्बियंट,t =10s ̀ | 20 | °C |
| थर्मल रेझिस्टन्स-जंक्शन ते सभोवतालची, स्थिर स्थिती | 60 | °C | |
| RqJC | थर्मल रेझिस्टन्स-जंक्शन ते केस | ०.८ | °C |
| आयएएस | हिमस्खलन करंट, सिंगल पल्स, L=0.5mH | 30 | A |
| EAS | हिमस्खलन ऊर्जा, एकल नाडी, L=0.5mH | 225 | mJ |
| प्रतीक | पॅरामीटर | अटी | मि. | टाइप करा. | कमाल | युनिट |
| BVडीएसएस | ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन व्होल्टेज | VGS=0V, ID=250uA | 75 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVडीएसएसतापमान गुणांक | 25 चा संदर्भ℃, आयD=1mA | --- | ०.०४३ | --- | V/℃ |
| RDS(चालू) | स्टॅटिक ड्रेन-स्रोत ऑन-रेझिस्टन्स2 | VGS=10V , ID=25A | --- | ५.३ | ६.४ | mΩ |
| VGS(th) | गेट थ्रेशोल्ड व्होल्टेज | VGS=VDS, आयD=250uA | २.० | ३.० | ४.० | V |
| △VGS(th) | VGS(th)तापमान गुणांक | --- | -6.94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | ड्रेन-स्रोत गळती करंट | VDS=48V , VGS=0V , TJ=२५℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=48V , VGS=0V , TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | गेट-स्रोत गळती करंट | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | फॉरवर्ड ट्रान्सकंडक्टन्स | VDS=5V, ID=२०अ | --- | 50 | --- | S |
| Rg | गेट प्रतिकार | VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz | --- | १.० | 2 | Ω |
| Qg | एकूण गेट चार्ज (10V) | VDS=20V , VGS=10V, ID=40A | --- | 65 | 85 | nC |
| Qgs | गेट-स्रोत शुल्क | --- | 20 | --- | ||
| Qgd | गेट-ड्रेन चार्ज | --- | 17 | --- | ||
| Td(चालू) | टर्न-ऑन विलंब वेळ | VDD=30V , VGEN=10V , RG=1Ω, आयD=1A ,RL=15Ω. | --- | 27 | 49 | ns |
| Tr | उठण्याची वेळ | --- | 14 | 26 | ||
| Td(बंद) | टर्न-ऑफ विलंब वेळ | --- | 60 | 108 | ||
| Tf | गडी बाद होण्याचा क्रम | --- | 37 | 67 | ||
| Ciss | इनपुट कॅपेसिटन्स | VDS=20V , VGS=0V , f=1MHz | ३४५० | 3500 | ४५५० | pF |
| कॉस | आउटपुट कॅपेसिटन्स | २४५ | ३९५ | ६५२ | ||
| Cआरएसएस | रिव्हर्स ट्रान्सफर कॅपेसिटन्स | 100 | १९५ | 250 |
