WSD80100DN56 N-चॅनेल 80V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

उत्पादने

WSD80100DN56 N-चॅनेल 80V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

संक्षिप्त वर्णन:

भाग क्रमांक:WSD80100DN56

BVDSS:80V

आयडी:100A

RDSON:6.1mΩ

चॅनल:एन-चॅनेल

पॅकेज:DFN5X6-8


उत्पादन तपशील

अर्ज

उत्पादन टॅग

WINSOK MOSFET उत्पादन विहंगावलोकन

WSD80100DN56 MOSFET चा व्होल्टेज 80V आहे, वर्तमान 100A आहे, प्रतिकार 6.1mΩ आहे, चॅनेल N-चॅनेल आहे आणि पॅकेज DFN5X6-8 आहे.

WINSOK MOSFET अनुप्रयोग क्षेत्र

ड्रोन MOSFET, मोटर्स MOSFET, ऑटोमोटिव्ह इलेक्ट्रॉनिक्स MOSFET, प्रमुख उपकरणे MOSFET.

WINSOK MOSFET इतर ब्रँड सामग्री क्रमांकाशी संबंधित आहे

AOS MOSFET AON6276,AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL1N8F7.POTENS सेमीकंडक्टर MOSFET PDC7966X.

MOSFET पॅरामीटर्स

चिन्ह

पॅरामीटर

रेटिंग

युनिट्स

VDS

ड्रेन-स्रोत व्होल्टेज

80

V

VGS

गेट-सौrसीई व्होल्टेज

±20

V

TJ

जास्तीत जास्त जंक्शन तापमान

150

°C

ID

स्टोरेज तापमान श्रेणी

-55 ते 150

°C

ID

सतत ड्रेन करंट, व्हीGS=10V,TC=25°C

100

A

सतत ड्रेन करंट, व्हीGS=10V,TC=100°C

80

A

IDM

स्पंदित ड्रेन करंट, टीC=25°C

३८०

A

PD

जास्तीत जास्त पॉवर डिसिपेशन, टीC=25°C

200

W

RqJC

थर्मल रेझिस्टन्स-जंक्शन ते केस

०.८

°C

EAS

हिमस्खलन ऊर्जा, एकल नाडी, L=0.5mH

800

mJ

 

चिन्ह

पॅरामीटर

परिस्थिती

मि.

टाइप करा.

कमाल

युनिट

BVडीएसएस

ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन व्होल्टेज VGS=0V, ID=250uA

80

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVडीएसएसतापमान गुणांक 25 चा संदर्भ, आयD=1mA

---

०.०४३

---

V/

RDS(चालू)

स्टॅटिक ड्रेन-स्रोत ऑन-रेझिस्टन्स2 VGS=10V , ID=40A

---

६.१

८.५

mΩ

VGS(th)

गेट थ्रेशोल्ड व्होल्टेज VGS=VDS, आयD=250uA

२.०

३.०

४.०

V

VGS(th)

VGS(th)तापमान गुणांक

---

-6.94

---

mV/

IDSS

ड्रेन-स्रोत गळती करंट VDS=48V , VGS=0V , TJ=२५

---

---

2

uA

VDS=48V , VGS=0V , TJ=55

---

---

10

IGSS

गेट-स्रोत गळती करंट VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

gfs

फॉरवर्ड ट्रान्सकंडक्टन्स VDS=5V, ID=२०अ

80

---

---

S

Qg

एकूण गेट चार्ज (10V) VDS=30V , VGS=10V, ID=३०अ

---

125

---

nC

Qgs

गेट-स्रोत शुल्क

---

24

---

Qgd

गेट-ड्रेन चार्ज

---

30

---

Td(चालू)

टर्न-ऑन विलंब वेळ VDD=30V , VGS=10V,

RG=2.5Ω, आयD=2A ,RL=15Ω.

---

20

---

ns

Tr

उठण्याची वेळ

---

19

---

Td(बंद)

टर्न-ऑफ विलंब वेळ

---

70

---

Tf

गडी बाद होण्याचा क्रम

---

30

---

Ciss

इनपुट कॅपेसिटन्स VDS=25V , VGS=0V , f=1MHz

---

४९००

---

pF

कॉस

आउटपुट कॅपेसिटन्स

---

410

---

Cआरएसएस

रिव्हर्स ट्रान्सफर कॅपेसिटन्स

---

३१५

---


  • मागील:
  • पुढे:

  • तुमचा संदेश इथे लिहा आणि आम्हाला पाठवा