WSD80120DN56 N-चॅनेल 85V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET उत्पादन विहंगावलोकन
WSD80120DN56 MOSFET चा व्होल्टेज 85V आहे, वर्तमान 120A आहे, प्रतिकार 3.7mΩ आहे, चॅनेल N-चॅनेल आहे आणि पॅकेज DFN5X6-8 आहे.
WINSOK MOSFET अनुप्रयोग क्षेत्र
मेडिकल व्होल्टेज MOSFET, फोटोग्राफिक उपकरण MOSFET, ड्रोन MOSFET, औद्योगिक नियंत्रण MOSFET, 5G MOSFET, ऑटोमोटिव्ह इलेक्ट्रॉनिक्स MOSFET.
WINSOK MOSFET इतर ब्रँड मटेरियल नंबरशी संबंधित आहे
AOS MOSFET AON6276,AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL13N8F7,STL135N8F7AG.
MOSFET पॅरामीटर्स
| प्रतीक | पॅरामीटर | रेटिंग | युनिट्स |
| VDS | ड्रेन-स्रोत व्होल्टेज | 85 | V |
| VGS | गेट-सौrसीई व्होल्टेज | ±25 | V |
| ID@TC=२५℃ | सतत ड्रेन करंट, व्हीGS@ 10V | 120 | A |
| ID@TC=100℃ | सतत ड्रेन करंट, व्हीGS@ 10V | 96 | A |
| IDM | स्पंदित निचरा प्रवाह..TC=25°C | ३८४ | A |
| ईएएस | हिमस्खलन ऊर्जा, एकल नाडी, L=0.5mH | 320 | mJ |
| आयएएस | हिमस्खलन करंट, सिंगल पल्स, L=0.5mH | 180 | A |
| PD@TC=२५℃ | एकूण शक्तीचा अपव्यय | 104 | W |
| PD@TC=100℃ | एकूण शक्तीचा अपव्यय | 53 | W |
| TSTG | स्टोरेज तापमान श्रेणी | -55 ते 175 | ℃ |
| TJ | ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान श्रेणी | १७५ | ℃ |
| प्रतीक | पॅरामीटर | अटी | मि. | टाइप करा. | कमाल | युनिट |
| BVडीएसएस | ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन व्होल्टेज | VGS=0V, ID=250uA | 85 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVडीएसएसतापमान गुणांक | 25 चा संदर्भ℃, आयD=1mA | --- | ०.०९६ | --- | V/℃ |
| RDS(चालू) | स्टॅटिक ड्रेन-स्रोत ऑन-रेझिस्टन्स | VGS=10V,ID=50A | --- | ३.७ | ४.८ | mΩ |
| VGS(th) | गेट थ्रेशोल्ड व्होल्टेज | VGS=VDS, आयD=250uA | २.० | ३.० | ४.० | V |
| △VGS(th) | VGS(th)तापमान गुणांक | --- | -5.5 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | ड्रेन-स्रोत गळती करंट | VDS=85V , VGS=0V , TJ=२५℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=85V , VGS=0V , TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | गेट-स्रोत गळती करंट | VGS=±25V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Rg | गेट प्रतिकार | VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz | --- | ३.२ | --- | Ω |
| Qg | एकूण गेट चार्ज (10V) | VDS=50V , VGS=10V, ID=10A | --- | 54 | --- | nC |
| Qgs | गेट-स्रोत शुल्क | --- | 17 | --- | ||
| Qgd | गेट-ड्रेन चार्ज | --- | 11 | --- | ||
| Td(चालू) | टर्न-ऑन विलंब वेळ | VDD=50V , VGS=10V, RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=10A. | --- | 21 | --- | ns |
| Tr | उठण्याची वेळ | --- | 18 | --- | ||
| Td(बंद) | टर्न-ऑफ विलंब वेळ | --- | 36 | --- | ||
| Tf | गडी बाद होण्याचा क्रम | --- | 10 | --- | ||
| Ciss | इनपुट कॅपेसिटन्स | VDS=40V , VGS=0V , f=1MHz | --- | ३७५० | --- | pF |
| कॉस | आउटपुट कॅपेसिटन्स | --- | ३९५ | --- | ||
| Cआरएसएस | रिव्हर्स ट्रान्सफर कॅपेसिटन्स | --- | 180 | --- |
