WSF6012 N&P-चॅनल 60V/-60V 20A/-15A TO-252-4L WINSOK MOSFET
सामान्य वर्णन
WSF6012 MOSFET हे उच्च सेल घनता डिझाइनसह उच्च-कार्यक्षमता असलेले उपकरण आहे. हे उत्कृष्ट RDSON आणि गेट चार्ज प्रदान करते जे बहुतेक सिंक्रोनस बक कन्व्हर्टर ऍप्लिकेशन्ससाठी योग्य आहे. याव्यतिरिक्त, ते RoHS आणि ग्रीन उत्पादन आवश्यकता पूर्ण करते आणि पूर्ण कार्यक्षमता आणि विश्वासार्हतेसाठी 100% EAS हमी देते.
वैशिष्ट्ये
उच्च सेल घनता, सुपर लो गेट चार्ज, उत्कृष्ट CdV/dt इफेक्ट डिक्लाईन, 100% EAS गॅरंटी आणि पर्यावरणास अनुकूल डिव्हाइस पर्यायांसह प्रगत ट्रेंच तंत्रज्ञान.
अर्ज
हाय फ्रिक्वेन्सी पॉइंट-ऑफ-लोड सिंक्रोनस बक कन्व्हर्टर, नेटवर्किंग डीसी-डीसी पॉवर सिस्टम, लोड स्विच, ई-सिगारेट, वायरलेस चार्जिंग, मोटर्स, आपत्कालीन वीज पुरवठा, ड्रोन, आरोग्य सेवा, कार चार्जर, कंट्रोलर, डिजिटल उपकरणे, लहान घरगुती उपकरणे, आणि ग्राहक इलेक्ट्रॉनिक्स.
संबंधित सामग्री क्रमांक
AOS AOD603A,
महत्वाचे पॅरामीटर्स
| प्रतीक | पॅरामीटर | रेटिंग | युनिट्स | |
| एन-चॅनेल | पी-चॅनल | |||
| VDS | ड्रेन-स्रोत व्होल्टेज | 60 | -60 | V |
| VGS | गेट-स्रोत व्होल्टेज | ±२० | ±२० | V |
| ID@TC=25℃ | सतत ड्रेन करंट, VGS @ 10V1 | 20 | -15 | A |
| ID@TC=70℃ | सतत ड्रेन करंट, VGS @ 10V1 | 15 | -10 | A |
| IDM | स्पंदित ड्रेन करंट2 | 46 | -36 | A |
| ईएएस | सिंगल पल्स हिमस्खलन ऊर्जा3 | 200 | 180 | mJ |
| आयएएस | हिमस्खलन करंट | 59 | -50 | A |
| PD@TC=25℃ | एकूण उर्जा अपव्यय ४ | ३४.७ | ३४.७ | W |
| TSTG | स्टोरेज तापमान श्रेणी | -55 ते 150 | -55 ते 150 | ℃ |
| TJ | ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान श्रेणी | -55 ते 150 | -55 ते 150 | ℃ |
| प्रतीक | पॅरामीटर | अटी | मि. | टाइप करा. | कमाल | युनिट |
| BVDSS | ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन व्होल्टेज | VGS=0V , ID=250uA | 60 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS तापमान गुणांक | 25℃ , ID=1mA चा संदर्भ | --- | ०.०६३ | --- | V/℃ |
| RDS(चालू) | स्टॅटिक ड्रेन-स्रोत ऑन-रेझिस्टन्स2 | VGS=10V , ID=8A | --- | 28 | 37 | mΩ |
| VGS=4.5V , ID=5A | --- | 37 | 45 | |||
| VGS(th) | गेट थ्रेशोल्ड व्होल्टेज | VGS=VDS , ID =250uA | 1 | --- | २.५ | V |
| △VGS(th) | VGS(th) तापमान गुणांक | --- | -5.24 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | ड्रेन-स्रोत गळती करंट | VDS=48V , VGS=0V , TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=48V , VGS=0V , TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | गेट-स्रोत गळती करंट | VGS=±20V , VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | फॉरवर्ड ट्रान्सकंडक्टन्स | VDS=5V , ID=8A | --- | 21 | --- | S |
| Rg | गेट प्रतिकार | VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz | --- | ३.० | ४.५ | Ω |
| Qg | एकूण गेट चार्ज (4.5V) | VDS=48V , VGS=4.5V , ID=8A | --- | १२.६ | 20 | nC |
| Qgs | गेट-स्रोत शुल्क | --- | ३.५ | --- | ||
| Qgd | गेट-ड्रेन चार्ज | --- | ६.३ | --- | ||
| Td(चालू) | टर्न-ऑन विलंब वेळ | VDD=30V , VGS=4.5V , RG=3.3Ω, ID=1A | --- | 8 | --- | ns |
| Tr | उठण्याची वेळ | --- | 14.2 | --- | ||
| Td(बंद) | टर्न-ऑफ विलंब वेळ | --- | २४.६ | --- | ||
| Tf | गडी बाद होण्याचा क्रम | --- | ४.६ | --- | ||
| Ciss | इनपुट कॅपेसिटन्स | VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz | --- | ६७० | --- | pF |
| कॉस | आउटपुट कॅपेसिटन्स | --- | 70 | --- | ||
| Crss | रिव्हर्स ट्रान्सफर कॅपेसिटन्स | --- | 35 | --- |
तुमचा संदेश इथे लिहा आणि आम्हाला पाठवा
