WSF70P02 P-चॅनेल -20V -70A TO-252 WINSOK MOSFET

संक्षिप्त वर्णन:

मॉडेल क्रमांक:WSF70P02

BVDSS:-20V

RDSON:6.8mΩ

आयडी:-70A

चॅनल:पी-चॅनल

पॅकेज:TO-252

उत्पादनाचा सारांश:WSF70P02 MOSFET मध्ये -20V चा व्होल्टेज, -70A चा विद्युत् प्रवाह, 6.8mΩ चे प्रतिकार, एक P-चॅनेल आणि TO-252 पॅकेजिंग आहे.

अर्ज:ई-सिगारेट, वायरलेस चार्जर, मोटर्स, पॉवर बॅकअप, ड्रोन, आरोग्यसेवा, कार चार्जर्स, कंट्रोलर, इलेक्ट्रॉनिक्स, उपकरणे आणि ग्राहकोपयोगी वस्तू.

आम्हाला ईमेल पाठवा PDF

उत्पादन तपशील

अर्ज

उत्पादन टॅग

सामान्य वर्णन

WSF70P02 MOSFET हे उच्च सेल घनतेसह उच्च-कार्यक्षम पी-चॅनेल ट्रेंच उपकरण आहे. हे बहुतांश सिंक्रोनस बक कन्व्हर्टर ऍप्लिकेशन्ससाठी थकबाकी RDSON आणि गेट चार्ज ऑफर करते. डिव्हाइस RoHS आणि ग्रीन उत्पादन आवश्यकता पूर्ण करते, 100% EAS हमी आहे, आणि पूर्ण कार्य विश्वासार्हतेसाठी मंजूर केले आहे.

वैशिष्ट्ये

उच्च सेल घनता, सुपर लो गेट चार्ज, CdV/dt प्रभावामध्ये उत्कृष्ट घट, 100% EAS हमी आणि पर्यावरणास अनुकूल उपकरणांसाठी पर्यायांसह प्रगत ट्रेंच तंत्रज्ञान.

अर्ज

हाय फ्रिक्वेन्सी पॉइंट-ऑफ-लोड सिंक्रोनस, MB/NB/UMPC/VGA साठी बक कन्व्हर्टर, नेटवर्किंग DC-DC पॉवर सिस्टम, लोड स्विच, ई-सिगारेट, वायरलेस चार्जिंग, मोटर्स, आपत्कालीन वीज पुरवठा, ड्रोन, वैद्यकीय सेवा, कार चार्जर , नियंत्रक, डिजिटल उत्पादने, लहान घरगुती उपकरणे, ग्राहक इलेक्ट्रॉनिक्स.

महत्वाचे पॅरामीटर्स

प्रतीक	पॅरामीटर	रेटिंग		युनिट्स
		10 चे दशक	स्थिर स्थिती
VDS	ड्रेन-स्रोत व्होल्टेज	-20		V
VGS	गेट-स्रोत व्होल्टेज	±१२		V
ID@TC=25℃	सतत ड्रेन करंट, VGS @ -10V1	-70		A
ID@TC=100℃	सतत ड्रेन करंट, VGS @ -10V1	-36		A
IDM	स्पंदित ड्रेन करंट2	-200		A
ईएएस	सिंगल पल्स हिमस्खलन ऊर्जा3	३६०		mJ
आयएएस	हिमस्खलन करंट	-५५.४		A
PD@TC=25℃	एकूण उर्जा अपव्यय ४	80		W
TSTG	स्टोरेज तापमान श्रेणी	-55 ते 150		℃
TJ	ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान श्रेणी	-55 ते 150		℃

प्रतीक	पॅरामीटर	अटी	मि.	टाइप करा.	कमाल	युनिट
BVDSS	ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन व्होल्टेज	VGS=0V , ID=-250uA	-20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS तापमान गुणांक	25℃ , ID=-1mA चा संदर्भ	---	-०.०१८	---	V/℃
RDS(चालू)	स्टॅटिक ड्रेन-स्रोत ऑन-रेझिस्टन्स2	VGS=-4.5V , ID=-15A	---	६.८	९.०	mΩ
RDS(चालू)	स्टॅटिक ड्रेन-स्रोत ऑन-रेझिस्टन्स2					mΩ
		VGS=-2.5V , ID=-10A	---	८.२	11
VGS(th)	गेट थ्रेशोल्ड व्होल्टेज	VGS=VDS , ID =-250uA	-0.4	-0.6	-1.2	V
		VGS=VDS , ID =-250uA
△VGS(th)	VGS(th) तापमान गुणांक		---	२.९४	---	mV/℃
IDSS	ड्रेन-स्रोत गळती करंट	VDS=-20V , VGS=0V , TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	ड्रेन-स्रोत गळती करंट					uA
		VDS=-20V , VGS=0V , TJ=55℃	---	---	5
IGSS	गेट-स्रोत गळती करंट	VGS=±12V , VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	फॉरवर्ड ट्रान्सकंडक्टन्स	VDS=-5V , ID=-10A	---	45	---	S
Qg	एकूण गेट चार्ज (-4.5V)	VDS=-15V , VGS=-4.5V , ID=-10A	---	63	---	nC
Qgs	गेट-स्रोत शुल्क		---	९.१	---
Qgd	गेट-ड्रेन चार्ज		---	13	---
Td(चालू)	टर्न-ऑन विलंब वेळ	VDD=-10V , VGS=-4.5V , RG=3.3Ω, ID=-10A	---	16	---	ns
Tr	उठण्याची वेळ		---	77	---
Td(बंद)	टर्न-ऑफ विलंब वेळ		---	१९५	---
Tf	गडी बाद होण्याचा क्रम		---	१८६	---
Ciss	इनपुट कॅपेसिटन्स	VDS=-10V , VGS=0V , f=1MHz	---	५७८३	---	pF
कॉस	आउटपुट कॅपेसिटन्स		---	५२०	---
Crss	रिव्हर्स ट्रान्सफर कॅपेसिटन्स		---	४४५	---