WSM340N10G N-चॅनेल 100V 340A TOLL-8L WINSOK MOSFET

उत्पादने

WSM340N10G N-चॅनेल 100V 340A TOLL-8L WINSOK MOSFET

संक्षिप्त वर्णन:


  • नमूना क्रमांक:WSM340N10G
  • BVDSS:100V
  • RDSON:1.6mΩ
  • आयडी:340A
  • चॅनल:एन-चॅनेल
  • पॅकेज:TOLL-8L
  • उत्पादनाचा सारांश:WSM340N10G MOSFET चा व्होल्टेज 100V आहे, वर्तमान 340A आहे, प्रतिकार 1.6mΩ आहे, चॅनेल N-चॅनेल आहे आणि पॅकेज TOLL-8L आहे.
  • अर्ज:वैद्यकीय उपकरणे, ड्रोन, पीडी वीज पुरवठा, एलईडी वीज पुरवठा, औद्योगिक उपकरणे इ.
  • उत्पादन तपशील

    अर्ज

    उत्पादन टॅग

    सामान्य वर्णन

    WSM340N10G हे अत्यंत उच्च सेल घनतेसह सर्वोच्च कार्यप्रदर्शन ट्रेंच N-Ch MOSFET आहे, जे बहुतेक सिंक्रोनस बक कन्व्हर्टर अनुप्रयोगांसाठी उत्कृष्ट RDSON आणि गेट चार्ज प्रदान करते.WSM340N10G RoHS आणि ग्रीन उत्पादन आवश्यकता पूर्ण करते, 100% EAS हमी पूर्ण कार्य विश्वासार्हतेसह मंजूर आहे.

    वैशिष्ट्ये

    प्रगत उच्च सेल घनता ट्रेंच तंत्रज्ञान, सुपर लो गेट चार्ज, उत्कृष्ट CdV/dt प्रभाव घट, 100% EAS गॅरंटीड, ग्रीन डिव्हाइस उपलब्ध.

    अर्ज

    सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन, डीसी/डीसी कन्व्हर्टर, लोड स्विच, वैद्यकीय उपकरणे, ड्रोन, पीडी पॉवर सप्लाय, एलईडी पॉवर सप्लाय, औद्योगिक उपकरणे इ.

    महत्वाचे पॅरामीटर्स

    परिपूर्ण कमाल रेटिंग

    चिन्ह पॅरामीटर रेटिंग युनिट्स
    VDS ड्रेन-स्रोत व्होल्टेज 100 V
    VGS गेट-स्रोत व्होल्टेज ±२० V
    ID@TC=25℃ सतत ड्रेन करंट, VGS @ 10V ३४० A
    ID@TC=100℃ सतत ड्रेन करंट, VGS @ 10V 230 A
    IDM पल्स्ड ड्रेन करंट..TC=25°C 1150 A
    ईएएस हिमस्खलन ऊर्जा, एकल नाडी, L=0.5mH १८०० mJ
    आयएएस हिमस्खलन करंट, सिंगल पल्स, L=0.5mH 120 A
    PD@TC=25℃ एकूण शक्तीचा अपव्यय ३७५ W
    PD@TC=100℃ एकूण शक्तीचा अपव्यय १८७ W
    TSTG स्टोरेज तापमान श्रेणी -55 ते 175
    TJ ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान श्रेणी १७५

    इलेक्ट्रिकल वैशिष्ट्ये (TJ=25℃, अन्यथा लक्षात घेतल्याशिवाय)

    चिन्ह पॅरामीटर परिस्थिती मि. टाइप करा. कमाल युनिट
    BVDSS ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन व्होल्टेज VGS=0V , ID=250uA 100 --- --- V
    △BVDSS/△TJ BVDSS तापमान गुणांक 25℃, ID=1mA चा संदर्भ --- ०.०९६ --- V/℃
    RDS(चालू) स्टॅटिक ड्रेन-स्रोत ऑन-रेझिस्टन्स VGS=10V,ID=50A --- १.६ २.३
    VGS(th) गेट थ्रेशोल्ड व्होल्टेज VGS=VDS , ID =250uA २.० ३.० ४.० V
    △VGS(th) VGS(th) तापमान गुणांक --- -5.5 --- mV/℃
    IDSS ड्रेन-स्रोत गळती करंट VDS=85V , VGS=0V , TJ=25℃ --- --- 1 uA
    VDS=85V , VGS=0V , TJ=55℃ --- --- 10
    IGSS गेट-स्रोत गळती करंट VGS=±25V , VDS=0V --- --- ±100 nA
    Rg गेट प्रतिकार VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz --- १.० --- Ω
    Qg एकूण गेट चार्ज (10V) VDS=50V , VGS=10V , ID=50A --- 260 --- nC
    Qgs गेट-स्रोत शुल्क --- 80 ---
    Qgd गेट-ड्रेन चार्ज --- 60 ---
    Td(चालू) टर्न-ऑन विलंब वेळ VDD=50V , VGS=10V ,RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=1A. --- 88 --- ns
    Tr उठण्याची वेळ --- 50 ---
    Td(बंद) टर्न-ऑफ विलंब वेळ --- 228 ---
    Tf गडी बाद होण्याचा क्रम --- 322 ---
    Ciss इनपुट कॅपेसिटन्स VDS=40V , VGS=0V , f=1MHz --- १३९०० --- pF
    कॉस आउटपुट कॅपेसिटन्स --- ६१६० ---
    Crss रिव्हर्स ट्रान्सफर कॅपेसिटन्स --- 220 ---

  • मागील:
  • पुढे:

  • तुमचा संदेश इथे लिहा आणि आम्हाला पाठवा