WSP6067A N&P-चॅनल 60V/-60V 7A/-5A SOP-8 WINSOK MOSFET
सामान्य वर्णन
WSP6067A MOSFETs हे ट्रेंच P-ch तंत्रज्ञानासाठी सर्वात प्रगत आहेत, ज्यामध्ये पेशींची खूप जास्त घनता आहे. ते RDSON आणि गेट चार्ज या दोन्ही बाबतीत उत्कृष्ट कामगिरी देतात, बहुतेक सिंक्रोनस बक कन्व्हर्टरसाठी योग्य. हे MOSFETs RoHS आणि ग्रीन उत्पादन निकष पूर्ण करतात, 100% EAS पूर्ण कार्यक्षम विश्वासार्हतेची हमी देतात.
वैशिष्ट्ये
प्रगत तंत्रज्ञान उच्च-घनता सेल खंदक तयार करण्यास सक्षम करते, परिणामी अत्यंत कमी गेट चार्ज आणि उत्कृष्ट CdV/dt प्रभावाचा क्षय होतो. आमचे उपकरण 100% EAS वॉरंटीसह येतात आणि ते पर्यावरणास अनुकूल आहेत.
अर्ज
हाय फ्रिक्वेन्सी पॉइंट-ऑफ-लोड सिंक्रोनस बक कन्व्हर्टर, नेटवर्किंग DC-DC पॉवर सिस्टम, लोड स्विच, ई-सिगारेट्स, वायरलेस चार्जिंग, मोटर्स, ड्रोन, वैद्यकीय उपकरणे, कार चार्जर्स, कंट्रोलर, इलेक्ट्रॉनिक उपकरणे, लहान घरगुती उपकरणे आणि ग्राहक इलेक्ट्रॉनिक्स .
संबंधित सामग्री क्रमांक
AOS
महत्वाचे पॅरामीटर्स
| प्रतीक | पॅरामीटर | रेटिंग | युनिट्स | |
| एन-चॅनेल | पी-चॅनल | |||
| VDS | ड्रेन-स्रोत व्होल्टेज | 60 | -60 | V |
| VGS | गेट-स्रोत व्होल्टेज | ±२० | ±२० | V |
| ID@TC=25℃ | सतत ड्रेन करंट, VGS @ 10V1 | ७.० | -5.0 | A |
| ID@TC=100℃ | सतत ड्रेन करंट, VGS @ 10V1 | ४.० | -2.5 | A |
| IDM | स्पंदित ड्रेन करंट2 | 28 | -20 | A |
| ईएएस | सिंगल पल्स हिमस्खलन ऊर्जा3 | 22 | 28 | mJ |
| आयएएस | हिमस्खलन करंट | 21 | -24 | A |
| PD@TC=25℃ | एकूण उर्जा अपव्यय ४ | २.० | २.० | W |
| TSTG | स्टोरेज तापमान श्रेणी | -55 ते 150 | -55 ते 150 | ℃ |
| TJ | ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान श्रेणी | -55 ते 150 | -55 ते 150 | ℃ |
| प्रतीक | पॅरामीटर | अटी | मि. | टाइप करा. | कमाल | युनिट |
| BVDSS | ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन व्होल्टेज | VGS=0V , ID=250uA | 60 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS तापमान गुणांक | 25℃ , ID=1mA चा संदर्भ | --- | ०.०६३ | --- | V/℃ |
| RDS(चालू) | स्टॅटिक ड्रेन-स्रोत ऑन-रेझिस्टन्स2 | VGS=10V , ID=5A | --- | 38 | 52 | mΩ |
| VGS=4.5V , ID=4A | --- | 55 | 75 | |||
| VGS(th) | गेट थ्रेशोल्ड व्होल्टेज | VGS=VDS , ID =250uA | 1 | 2 | 3 | V |
| △VGS(th) | VGS(th) तापमान गुणांक | --- | -5.24 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | ड्रेन-स्रोत गळती करंट | VDS=48V , VGS=0V , TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=48V , VGS=0V , TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | गेट-स्रोत गळती करंट | VGS=±20V , VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | फॉरवर्ड ट्रान्सकंडक्टन्स | VDS=5V , ID=4A | --- | 28 | --- | S |
| Rg | गेट प्रतिकार | VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz | --- | २.८ | ४.३ | Ω |
| Qg | एकूण गेट चार्ज (4.5V) | VDS=48V , VGS=4.5V , ID=4A | --- | 19 | 25 | nC |
| Qgs | गेट-स्रोत शुल्क | --- | २.६ | --- | ||
| Qgd | गेट-ड्रेन चार्ज | --- | ४.१ | --- | ||
| Td(चालू) | टर्न-ऑन विलंब वेळ | VDD=30V , VGS=10V , RG=3.3Ω, ID=1A | --- | 3 | --- | ns |
| Tr | उठण्याची वेळ | --- | 34 | --- | ||
| Td(बंद) | टर्न-ऑफ विलंब वेळ | --- | 23 | --- | ||
| Tf | गडी बाद होण्याचा क्रम | --- | 6 | --- | ||
| Ciss | इनपुट कॅपेसिटन्स | VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 1027 | --- | pF |
| कॉस | आउटपुट कॅपेसिटन्स | --- | 65 | --- | ||
| Crss | रिव्हर्स ट्रान्सफर कॅपेसिटन्स | --- | 45 | --- |
