WSP6067A N&P-चॅनल 60V/-60V 7A/-5A SOP-8 WINSOK MOSFET

संक्षिप्त वर्णन:

नमूना क्रमांक:WSP6067A

BVDSS:60V/-60V

RDSON:38mΩ/80mΩ

आयडी:7A/-5A

चॅनल:N&P-चॅनल

पॅकेज:SOP-8

उत्पादनाचा सारांश:WSP6067A MOSFET ची व्होल्टेज श्रेणी 60 व्होल्ट पॉझिटिव्ह आणि निगेटिव्ह आहे, सध्याची रेंज 7 amps पॉझिटिव्ह आणि 5 amps निगेटिव्ह आहे, 38 मिलीओम आणि 80 मिलीओहम्सची रेझिस्टन्स रेंज आहे, एक N&P-चॅनेल आहे आणि SOP-8 मध्ये पॅकेज केलेले आहे.

अर्ज:ई-सिगारेट, वायरलेस चार्जर, इंजिन, ड्रोन, आरोग्यसेवा, कार चार्जर, नियंत्रणे, डिजिटल उपकरणे, लहान उपकरणे आणि ग्राहकांसाठी इलेक्ट्रॉनिक्स.

आम्हाला ईमेल पाठवा PDF

उत्पादन तपशील

अर्ज

उत्पादन टॅग

सामान्य वर्णन

WSP6067A MOSFETs हे ट्रेंच P-ch तंत्रज्ञानासाठी सर्वात प्रगत आहेत, ज्यामध्ये पेशींची खूप जास्त घनता आहे.ते RDSON आणि गेट चार्ज या दोन्ही बाबतीत उत्कृष्ट कामगिरी देतात, बहुतेक सिंक्रोनस बक कन्व्हर्टरसाठी योग्य.हे MOSFETs RoHS आणि ग्रीन उत्पादन निकष पूर्ण करतात, 100% EAS पूर्ण कार्यक्षम विश्वासार्हतेची हमी देतात.

वैशिष्ट्ये

प्रगत तंत्रज्ञान उच्च-घनता सेल खंदक तयार करण्यास सक्षम करते, परिणामी अत्यंत कमी गेट चार्ज आणि उत्कृष्ट CdV/dt प्रभावाचा क्षय होतो.आमचे उपकरण 100% EAS वॉरंटीसह येतात आणि ते पर्यावरणास अनुकूल आहेत.

अर्ज

हाय फ्रिक्वेन्सी पॉइंट-ऑफ-लोड सिंक्रोनस बक कन्व्हर्टर, नेटवर्किंग DC-DC पॉवर सिस्टम, लोड स्विच, ई-सिगारेट, वायरलेस चार्जिंग, मोटर्स, ड्रोन, वैद्यकीय उपकरणे, कार चार्जर्स, कंट्रोलर, इलेक्ट्रॉनिक उपकरणे, लहान घरगुती उपकरणे आणि ग्राहक इलेक्ट्रॉनिक्स .

महत्वाचे पॅरामीटर्स

चिन्ह	पॅरामीटर	रेटिंग		युनिट्स
चिन्ह	पॅरामीटर	एन-चॅनेल	पी-चॅनल	युनिट्स
VDS	ड्रेन-स्रोत व्होल्टेज	60	-60	V
VGS	गेट-स्रोत व्होल्टेज	±२०	±२०	V
ID@TC=25℃	सतत ड्रेन करंट, VGS @ 10V1	७.०	-5.0	A
ID@TC=100℃	सतत ड्रेन करंट, VGS @ 10V1	४.०	-2.5	A
IDM	स्पंदित ड्रेन करंट2	28	-20	A
ईएएस	सिंगल पल्स हिमस्खलन ऊर्जा3	22	28	mJ
आयएएस	हिमस्खलन करंट	21	-24	A
PD@TC=25℃	एकूण उर्जा अपव्यय ४	२.०	२.०	W
TSTG	स्टोरेज तापमान श्रेणी	-55 ते 150	-55 ते 150	℃
TJ	ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान श्रेणी	-55 ते 150	-55 ते 150	℃

चिन्ह	पॅरामीटर	परिस्थिती	मि.	टाइप करा.	कमाल	युनिट
BVDSS	ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन व्होल्टेज	VGS=0V , ID=250uA	60	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS तापमान गुणांक	25℃ , ID=1mA चा संदर्भ	---	०.०६३	---	V/℃
RDS(चालू)	स्टॅटिक ड्रेन-स्रोत ऑन-रेझिस्टन्स2	VGS=10V , ID=5A	---	38	52	mΩ
RDS(चालू)	स्टॅटिक ड्रेन-स्रोत ऑन-रेझिस्टन्स2	VGS=4.5V , ID=4A	---	55	75	mΩ
VGS(th)	गेट थ्रेशोल्ड व्होल्टेज	VGS=VDS , ID =250uA	1	2	3	V
△VGS(th)	VGS(th) तापमान गुणांक	VGS=VDS , ID =250uA	---	-5.24	---	mV/℃
IDSS	ड्रेन-स्रोत गळती करंट	VDS=48V , VGS=0V , TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	ड्रेन-स्रोत गळती करंट	VDS=48V , VGS=0V , TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	गेट-स्रोत गळती करंट	VGS=±20V , VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	फॉरवर्ड ट्रान्सकंडक्टन्स	VDS=5V , ID=4A	---	28	---	S
Rg	गेट प्रतिकार	VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz	---	२.८	४.३	Ω
Qg	एकूण गेट चार्ज (4.5V)	VDS=48V , VGS=4.5V , ID=4A	---	19	25	nC
Qgs	गेट-स्रोत शुल्क		---	२.६	---
Qgd	गेट-ड्रेन चार्ज		---	४.१	---
Td(चालू)	टर्न-ऑन विलंब वेळ	VDD=30V , VGS=10V , RG=3.3Ω, ID=1A	---	3	---	ns
Tr	उठण्याची वेळ		---	34	---
Td(बंद)	टर्न-ऑफ विलंब वेळ		---	23	---
Tf	गडी बाद होण्याचा क्रम		---	6	---
Ciss	इनपुट कॅपेसिटन्स	VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz	---	1027	---	pF
कॉस	आउटपुट कॅपेसिटन्स		---	65	---
Crss	रिव्हर्स ट्रान्सफर कॅपेसिटन्स		---	45	---