WSR200N08 N-चॅनेल 80V 200A TO-220-3L WINSOK MOSFET
सामान्य वर्णन
WSR200N08 हे अत्यंत उच्च सेल घनतेसह सर्वोच्च कार्यप्रदर्शन ट्रेंच N-Ch MOSFET आहे, जे बहुतेक सिंक्रोनस बक कन्व्हर्टर अनुप्रयोगांसाठी उत्कृष्ट RDSON आणि गेट चार्ज प्रदान करते.WSR200N08 RoHS आणि ग्रीन उत्पादन आवश्यकता पूर्ण करते, 100% EAS हमी पूर्ण कार्य विश्वासार्हतेसह मंजूर.
वैशिष्ट्ये
प्रगत उच्च सेल घनता ट्रेंच तंत्रज्ञान, सुपर लो गेट चार्ज, उत्कृष्ट CdV/dt प्रभाव घट, 100% EAS गॅरंटीड, ग्रीन डिव्हाइस उपलब्ध.
अर्ज
स्विचिंग ऍप्लिकेशन, इन्व्हर्टर सिस्टमसाठी पॉवर मॅनेजमेंट, इलेक्ट्रॉनिक सिगारेट, वायरलेस चार्जिंग, मोटर्स, BMS, आपत्कालीन वीज पुरवठा, ड्रोन, मेडिकल, कार चार्जिंग, कंट्रोलर्स, 3D प्रिंटर, डिजिटल उत्पादने, लहान घरगुती उपकरणे, ग्राहक इलेक्ट्रॉनिक्स इ.
संबंधित सामग्री क्रमांक
AO AOT480L, ON FDP032N08B, ST STP130N8F7 STP140N8F7, तोशिबा TK72A08N1 TK72E08N1, इ.
महत्वाचे पॅरामीटर्स
इलेक्ट्रिकल वैशिष्ट्ये (TJ=25℃, अन्यथा लक्षात घेतल्याशिवाय)
| चिन्ह | पॅरामीटर | रेटिंग | युनिट्स |
| VDS | ड्रेन-स्रोत व्होल्टेज | 80 | V |
| VGS | गेट-स्रोत व्होल्टेज | ±25 | V |
| ID@TC=25℃ | सतत ड्रेन करंट, VGS @ 10V1 | 200 | A |
| ID@TC=100℃ | सतत ड्रेन करंट, VGS @ 10V1 | 144 | A |
| IDM | पल्स्ड ड्रेन करंट2,TC=25°C | ७९० | A |
| ईएएस | हिमस्खलन ऊर्जा, एकल नाडी, L=0.5mH | 1496 | mJ |
| आयएएस | हिमस्खलन करंट, सिंगल पल्स, L=0.5mH | 200 | A |
| PD@TC=25℃ | एकूण उर्जा अपव्यय ४ | ३४५ | W |
| PD@TC=100℃ | एकूण उर्जा अपव्यय ४ | १७३ | W |
| TSTG | स्टोरेज तापमान श्रेणी | -55 ते 175 | ℃ |
| TJ | ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान श्रेणी | १७५ | ℃ |
| चिन्ह | पॅरामीटर | परिस्थिती | मि. | टाइप करा. | कमाल | युनिट |
| BVDSS | ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन व्होल्टेज | VGS=0V , ID=250uA | 80 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS तापमान गुणांक | 25℃, ID=1mA चा संदर्भ | --- | ०.०९६ | --- | V/℃ |
| RDS(चालू) | स्टॅटिक ड्रेन-स्रोत ऑन-रेझिस्टन्स2 | VGS=10V,ID=100A | --- | २.९ | ३.५ | mΩ |
| VGS(th) | गेट थ्रेशोल्ड व्होल्टेज | VGS=VDS , ID =250uA | २.० | ३.० | ४.० | V |
| △VGS(th) | VGS(th) तापमान गुणांक | --- | -5.5 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | ड्रेन-स्रोत गळती करंट | VDS=80V , VGS=0V , TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=80V , VGS=0V , TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | गेट-स्रोत गळती करंट | VGS=±25V , VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Rg | गेट प्रतिकार | VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz | --- | ३.२ | --- | Ω |
| Qg | एकूण गेट चार्ज (10V) | VDS=80V , VGS=10V , ID=30A | --- | १९७ | --- | nC |
| Qgs | गेट-स्रोत शुल्क | --- | 31 | --- | ||
| Qgd | गेट-ड्रेन चार्ज | --- | 75 | --- | ||
| Td(चालू) | टर्न-ऑन विलंब वेळ | VDD=50V , VGS=10V ,RG=3Ω, ID=30A | --- | 28 | --- | ns |
| Tr | उठण्याची वेळ | --- | 18 | --- | ||
| Td(बंद) | टर्न-ऑफ विलंब वेळ | --- | 42 | --- | ||
| Tf | गडी बाद होण्याचा क्रम | --- | 54 | --- | ||
| Ciss | इनपुट कॅपेसिटन्स | VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz | --- | ८१५४ | --- | pF |
| कॉस | आउटपुट कॅपेसिटन्स | --- | 1029 | --- | ||
| Crss | रिव्हर्स ट्रान्सफर कॅपेसिटन्स | --- | ६५० | --- |
तुमचा संदेश इथे लिहा आणि आम्हाला पाठवा
