WST4041 P-चॅनेल -40V -6A SOT-23-3L WINSOK MOSFET

संक्षिप्त वर्णन:

नमूना क्रमांक:WST4041

BVDSS:-40V

RDSON:30mΩ

आयडी:-6अ

चॅनल:पी-चॅनल

पॅकेज:SOT-23-3L

उत्पादनाचा सारांश:WST4041 MOSFET मध्ये -40V चा व्होल्टेज, -6A चा विद्युत् प्रवाह, 30mΩ चे प्रतिकार, P-चॅनेल आणि SOT-23-3L पॅकेजिंग आहे.

अर्ज:इलेक्ट्रॉनिक सिगारेट, कंट्रोलर, डिजिटल उत्पादने, छोटी उपकरणे, ग्राहक इलेक्ट्रॉनिक्स.

आम्हाला ईमेल पाठवा PDF

उत्पादन तपशील

अर्ज

उत्पादन टॅग

सामान्य वर्णन

WST4041 हे एक शक्तिशाली P-चॅनेल MOSFET आहे जे सिंक्रोनस बक कन्व्हर्टरमध्ये वापरण्यासाठी डिझाइन केलेले आहे.यात उच्च सेल घनता आहे जी उत्कृष्ट RDSON आणि गेट चार्जसाठी परवानगी देते.WST4041 RoHS आणि ग्रीन उत्पादन मानकांसाठी आवश्यकता पूर्ण करते आणि ते विश्वसनीय कामगिरीसाठी 100% EAS हमीसह येते.

वैशिष्ट्ये

प्रगत ट्रेंच तंत्रज्ञानामध्ये उच्च सेल घनता आणि अत्यंत कमी गेट चार्जची वैशिष्ट्ये आहेत, ज्यामुळे CdV/dt प्रभाव लक्षणीयरीत्या कमी होतो.आमची उपकरणे 100% EAS हमी आणि पर्यावरणास अनुकूल पर्यायांसह येतात.

अर्ज

उच्च-फ्रिक्वेंसी पॉइंट-ऑफ-लोड सिंक्रोनस बक कन्व्हर्टर, नेटवर्किंग DC-DC पॉवर सिस्टम, लोड स्विच, ई-सिगारेट, कंट्रोलर्स, डिजिटल उपकरणे, लहान घरगुती उपकरणे आणि ग्राहक इलेक्ट्रॉनिक्स.

महत्वाचे पॅरामीटर्स

चिन्ह	पॅरामीटर	रेटिंग	युनिट्स
VDS	ड्रेन-स्रोत व्होल्टेज	-40	V
VGS	गेट-स्रोत व्होल्टेज	±२०	V
ID@TC=25℃	सतत ड्रेन करंट, VGS @ -10V1	-6.0	A
ID@TC=100℃	सतत ड्रेन करंट, VGS @ -10V1	-4.5	A
IDM	स्पंदित ड्रेन करंट2	-24	A
ईएएस	सिंगल पल्स हिमस्खलन ऊर्जा3	12	mJ
आयएएस	हिमस्खलन करंट	-7	A
PD@TC=25℃	एकूण उर्जा अपव्यय ४	१.४	W
TSTG	स्टोरेज तापमान श्रेणी	-55 ते 150	℃
TJ	ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान श्रेणी	-55 ते 150	℃

चिन्ह	पॅरामीटर	परिस्थिती	मि.	टाइप करा.	कमाल	युनिट
BVDSS	ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन व्होल्टेज	VGS=0V , ID=-250uA	-40	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS तापमान गुणांक	25℃ , ID=-1mA चा संदर्भ	---	-0.03	---	V/℃
RDS(चालू)	स्टॅटिक ड्रेन-स्रोत ऑन-रेझिस्टन्स2	VGS=-10V , ID=-3A	---	30	40	mΩ
RDS(चालू)	स्टॅटिक ड्रेन-स्रोत ऑन-रेझिस्टन्स2	VGS=-4.5V , ID=-1A	---	40	58	mΩ
VGS(th)	गेट थ्रेशोल्ड व्होल्टेज	VGS=VDS , ID =-250uA	-0.8	-1.2	-2.2	V
△VGS(th)	VGS(th) तापमान गुणांक	VGS=VDS , ID =-250uA	---	४.५६	---	mV/℃
IDSS	ड्रेन-स्रोत गळती करंट	VDS=-28V , VGS=0V , TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	ड्रेन-स्रोत गळती करंट	VDS=-28V , VGS=0V , TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	गेट-स्रोत गळती करंट	VGS=±20V , VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	फॉरवर्ड ट्रान्सकंडक्टन्स	VDS=-5V , ID=-3A	---	15	---	S
Rg	गेट प्रतिकार	VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz	---	३.८	---	Ω
Qg	एकूण गेट चार्ज (-4.5V)	VDS=-18V , VGS=-10V , ID=-4A	---	९.५	---	nC
Qgs	गेट-स्रोत शुल्क		---	१.७	---
Qgd	गेट-ड्रेन चार्ज		---	२.०	---
Td(चालू)	टर्न-ऑन विलंब वेळ	VDD=-15V , VGS=-10V , RG=6Ω, ID=-1A , RL=15Ω	---	8	---	ns
Tr	उठण्याची वेळ		---	10	---
Td(बंद)	टर्न-ऑफ विलंब वेळ		---	18	---
Tf	गडी बाद होण्याचा क्रम		---	8	---
Ciss	इनपुट कॅपेसिटन्स	VDS=-15V , VGS=0V , f=1MHz	---	420	---	pF
कॉस	आउटपुट कॅपेसिटन्स		---	77	---
Crss	रिव्हर्स ट्रान्सफर कॅपेसिटन्स		---	55	---