WST4041 P-चॅनेल -40V -6A SOT-23-3L WINSOK MOSFET
सामान्य वर्णन
WST4041 हे एक शक्तिशाली P-चॅनेल MOSFET आहे जे सिंक्रोनस बक कन्व्हर्टरमध्ये वापरण्यासाठी डिझाइन केलेले आहे. यात उच्च सेल घनता आहे जी उत्कृष्ट RDSON आणि गेट चार्जसाठी परवानगी देते. WST4041 RoHS आणि ग्रीन उत्पादन मानकांसाठी आवश्यकता पूर्ण करते आणि ते विश्वसनीय कामगिरीसाठी 100% EAS हमीसह येते.
वैशिष्ट्ये
प्रगत ट्रेंच तंत्रज्ञानामध्ये उच्च सेल घनता आणि अत्यंत कमी गेट चार्जची वैशिष्ट्ये आहेत, ज्यामुळे CdV/dt प्रभाव लक्षणीयरीत्या कमी होतो. आमची उपकरणे 100% EAS हमी आणि पर्यावरणास अनुकूल पर्यायांसह येतात.
अर्ज
उच्च-फ्रिक्वेंसी पॉइंट-ऑफ-लोड सिंक्रोनस बक कन्व्हर्टर, नेटवर्किंग DC-DC पॉवर सिस्टम, लोड स्विच, ई-सिगारेट, कंट्रोलर्स, डिजिटल उपकरणे, लहान घरगुती उपकरणे आणि ग्राहक इलेक्ट्रॉनिक्स.
संबंधित सामग्री क्रमांक
AOS AO3409 AOS3403 AOS3421 AOS3421E AO3401 AOS3401A,dintek DTS4501,ncepower NCE40P05Y,
महत्वाचे पॅरामीटर्स
| प्रतीक | पॅरामीटर | रेटिंग | युनिट्स |
| VDS | ड्रेन-स्रोत व्होल्टेज | -40 | V |
| VGS | गेट-स्रोत व्होल्टेज | ±२० | V |
| ID@TC=25℃ | सतत ड्रेन करंट, VGS @ -10V1 | -6.0 | A |
| ID@TC=100℃ | सतत ड्रेन करंट, VGS @ -10V1 | -4.5 | A |
| IDM | स्पंदित ड्रेन करंट2 | -24 | A |
| ईएएस | सिंगल पल्स हिमस्खलन ऊर्जा3 | 12 | mJ |
| आयएएस | हिमस्खलन करंट | -7 | A |
| PD@TC=25℃ | एकूण उर्जा अपव्यय ४ | १.४ | W |
| TSTG | स्टोरेज तापमान श्रेणी | -55 ते 150 | ℃ |
| TJ | ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान श्रेणी | -55 ते 150 | ℃ |
| प्रतीक | पॅरामीटर | अटी | मि. | टाइप करा. | कमाल | युनिट |
| BVDSS | ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन व्होल्टेज | VGS=0V , ID=-250uA | -40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS तापमान गुणांक | 25℃ , ID=-1mA चा संदर्भ | --- | -0.03 | --- | V/℃ |
| RDS(चालू) | स्टॅटिक ड्रेन-स्रोत ऑन-रेझिस्टन्स2 | VGS=-10V , ID=-3A | --- | 30 | 40 | mΩ |
| VGS=-4.5V , ID=-1A | --- | 40 | 58 | |||
| VGS(th) | गेट थ्रेशोल्ड व्होल्टेज | VGS=VDS , ID =-250uA | -0.8 | -1.2 | -2.2 | V |
| △VGS(th) | VGS(th) तापमान गुणांक | --- | ४.५६ | --- | mV/℃ | |
| IDSS | ड्रेन-स्रोत गळती करंट | VDS=-28V , VGS=0V , TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=-28V , VGS=0V , TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | गेट-स्रोत गळती करंट | VGS=±20V , VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | फॉरवर्ड ट्रान्सकंडक्टन्स | VDS=-5V , ID=-3A | --- | 15 | --- | S |
| Rg | गेट प्रतिकार | VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz | --- | ३.८ | --- | Ω |
| Qg | एकूण गेट चार्ज (-4.5V) | VDS=-18V , VGS=-10V , ID=-4A | --- | ९.५ | --- | nC |
| Qgs | गेट-स्रोत शुल्क | --- | १.७ | --- | ||
| Qgd | गेट-ड्रेन चार्ज | --- | २.० | --- | ||
| Td(चालू) | टर्न-ऑन विलंब वेळ | VDD=-15V , VGS=-10V , RG=6Ω, ID=-1A , RL=15Ω | --- | 8 | --- | ns |
| Tr | उठण्याची वेळ | --- | 10 | --- | ||
| Td(बंद) | टर्न-ऑफ विलंब वेळ | --- | 18 | --- | ||
| Tf | गडी बाद होण्याचा क्रम | --- | 8 | --- | ||
| Ciss | इनपुट कॅपेसिटन्स | VDS=-15V , VGS=0V , f=1MHz | --- | ४२० | --- | pF |
| कॉस | आउटपुट कॅपेसिटन्स | --- | 77 | --- | ||
| Crss | रिव्हर्स ट्रान्सफर कॅपेसिटन्स | --- | 55 | --- |
