MOSFET उष्णता निर्मितीच्या महत्त्वपूर्ण कारणांचे विश्लेषण

N प्रकार, P प्रकार MOSFET चे कार्य तत्त्व समान आहे, MOSFET मुख्यत्वे गेट व्होल्टेजच्या इनपुट बाजूस जोडले जाते जेणेकरुन ड्रेन करंटच्या आउटपुट बाजूवर यशस्वीरित्या नियंत्रण ठेवता येईल, MOSFET हे व्होल्टेज-नियंत्रित साधन आहे, जोडलेल्या व्होल्टेजद्वारे. चार्जमुळे उद्भवणाऱ्या बेस करंटमुळे स्विचिंग टाइम करण्यासाठी ट्रायोडच्या विपरीत डिव्हाइसची वैशिष्ट्ये नियंत्रित करण्यासाठी गेटवर स्टोरेज इफेक्ट, स्विचिंग ऍप्लिकेशन्समध्ये, MOSFET च्या स्विचिंग ऍप्लिकेशन्समध्ये,MOSFET च्या स्विचिंग गती ट्रायोडच्या वेगापेक्षा वेगवान आहे.

स्विचिंग पॉवर सप्लायमध्ये, सामान्यतः वापरल्या जाणाऱ्या MOSFET ओपन ड्रेन सर्किटमध्ये, ड्रेन लोडशी जोडला जातो, ज्याला ओपन ड्रेन, ओपन ड्रेन सर्किट म्हणतात, लोड किती उच्च व्होल्टेजशी कनेक्ट केलेले आहे, चालू करण्यास सक्षम आहेत, बंद करू शकतात. लोड करंट, हे आदर्श ॲनालॉग स्विचिंग डिव्हाइस आहे, जे स्विचिंग डिव्हाइसेस करण्यासाठी MOSFET चे तत्त्व आहे, MOSFET अधिक सर्किट्सच्या स्वरूपात स्विचिंग करण्यासाठी.

स्विचिंग पॉवर सप्लाय ऍप्लिकेशन्सच्या बाबतीत, या ऍप्लिकेशनला आवश्यक आहे MOSFETs अधूनमधून चालवणे, बंद करणे, जसे की मूलभूत बक कन्व्हर्टरमध्ये सामान्यतः वापरला जाणारा DC-DC वीज पुरवठा स्विचिंग कार्य करण्यासाठी दोन MOSFETs वर अवलंबून असतो, हे स्विच उर्जा संचयित करण्यासाठी इंडक्टरमध्ये वैकल्पिकरित्या, लोडवर ऊर्जा सोडण्यासाठी, अनेकदा निवडतात. शेकडो kHz किंवा 1 MHz पेक्षा जास्त, मुख्यत्वे कारण की वारंवारता जितकी जास्त असेल तितके चुंबकीय घटक लहान. सामान्य ऑपरेशन दरम्यान, MOSFET कंडक्टरच्या समतुल्य आहे, उदाहरणार्थ, उच्च-शक्ती MOSFETs, लहान-व्होल्टेज MOSFET, सर्किट्स, वीज पुरवठा MOS चे किमान वहन तोटा आहे.

MOSFET PDF पॅरामीटर्स, MOSFET उत्पादकांनी ऑन-स्टेट प्रतिबाधा परिभाषित करण्यासाठी RDS (ON) पॅरामीटर यशस्वीरित्या स्वीकारले आहे, अनुप्रयोग स्विच करण्यासाठी, RDS (ON) हे सर्वात महत्वाचे डिव्हाइस वैशिष्ट्य आहे; डेटाशीट RDS (ON) परिभाषित करतात, गेट (किंवा ड्राइव्ह) व्होल्टेज VGS आणि स्विचमधून वाहणारा विद्युत् प्रवाह संबंधित आहे, पुरेशा गेट ड्राइव्हसाठी, RDS (ON) हे तुलनेने स्थिर पॅरामीटर आहे; MOSFET जे वहन करत आहेत ते उष्णता निर्माण करण्यास प्रवण असतात आणि जंक्शन तापमान हळूहळू वाढल्याने RDS (ON) मध्ये वाढ होऊ शकते;MOSFET डेटाशीट थर्मल इम्पेडन्स पॅरामीटर निर्दिष्ट करतात, ज्याची व्याख्या MOSFET पॅकेजच्या सेमीकंडक्टर जंक्शनची उष्णता नष्ट करण्याची क्षमता म्हणून केली जाते आणि RθJC ची व्याख्या फक्त जंक्शन-टू-केस थर्मल प्रतिबाधा म्हणून केली जाते.

1, वारंवारता खूप जास्त आहे, काहीवेळा जास्त प्रमाणात व्हॉल्यूमचा पाठपुरावा केल्याने, थेट उच्च वारंवारता होऊ शकते, MOSFET नुकसान वाढते, जास्त उष्णता, पुरेशा उष्णतेचे अपव्यय डिझाइनचे चांगले काम करू नका, उच्च प्रवाह, नाममात्र MOSFET चे वर्तमान मूल्य, प्राप्त करण्यास सक्षम होण्यासाठी चांगल्या उष्णतेचा अपव्यय आवश्यक आहे; आयडी कमाल वर्तमान पेक्षा कमी आहे, गंभीर उष्णता असू शकते, पुरेशा सहाय्यक हीटसिंकची आवश्यकता आहे.

2, MOSFET निवड त्रुटी आणि शक्ती निर्णयातील त्रुटी, MOSFET अंतर्गत प्रतिकार पूर्णपणे विचारात घेतलेला नाही, MOSFET हीटिंग समस्या हाताळताना थेट स्विचिंग प्रतिबाधा वाढेल.

3, सर्किट डिझाइन समस्यांमुळे, परिणामी उष्णता, ज्यामुळे MOSFET रेखीय ऑपरेटिंग स्थितीत कार्य करते, स्विचिंग स्थितीत नाही, जे MOSFET हीटिंगचे थेट कारण आहे, उदाहरणार्थ, N-MOS स्विचिंग करते, G- लेव्हल व्होल्टेज काही V ने वीज पुरवठ्यापेक्षा जास्त असणे आवश्यक आहे, पूर्णपणे वहन करण्यास सक्षम होण्यासाठी, P-MOS वेगळे आहे; पूर्णपणे उघडे नसताना, व्होल्टेज ड्रॉप खूप मोठा आहे, ज्यामुळे विजेचा वापर होईल, समतुल्य DC प्रतिबाधा मोठा असेल, व्होल्टेज ड्रॉप देखील वाढेल, U * I देखील वाढेल, नुकसानामुळे उष्णता होईल.