MOSFET अयशस्वी होण्याची कारणे आणि प्रतिबंध

दोन मुख्य कारणेof MOSFET अपयश:

व्होल्टेज अयशस्वी: म्हणजे, ड्रेन आणि स्त्रोत यांच्यातील बीव्हीडीएसएस व्होल्टेज रेट केलेल्या व्होल्टेजपेक्षा जास्त आहेMOSFET आणि पोहोचते एक विशिष्ट क्षमता, ज्यामुळे MOSFET अयशस्वी होते.

गेट व्होल्टेज अयशस्वी: गेटला असामान्य व्होल्टेज स्पाइकचा सामना करावा लागतो, परिणामी गेट ऑक्सिजन स्तर निकामी होतो.

MOSFET अयशस्वी होण्याची कारणे आणि प्रतिबंध

संकुचित फॉल्ट (व्होल्टेज अपयश)

हिमस्खलनामुळे नेमके काय नुकसान होते? सोप्या भाषेत सांगायचे तर,एक MOSFET बस व्होल्टेज, ट्रान्सफॉर्मर रिफ्लेक्शन व्होल्टेज, लीकेज स्पाइक व्होल्टेज इ. आणि MOSFET मधील सुपरपोझिशनद्वारे तयार केलेला एक अपयश मोड आहे. थोडक्यात, जेव्हा MOSFET च्या ड्रेन-स्रोत पोलवरील व्होल्टेज त्याच्या निर्दिष्ट व्होल्टेज मूल्यापेक्षा जास्त होते आणि विशिष्ट उर्जा मर्यादेपर्यंत पोहोचते तेव्हा हे एक सामान्य अपयश आहे.

हिमस्खलनाचे नुकसान टाळण्यासाठी उपाय:

- डोस योग्यरित्या कमी करा. या उद्योगात, ते सहसा 80-95% ने कमी केले जाते. कंपनीच्या वॉरंटी अटी आणि प्राधान्यक्रमांवर आधारित निवडा.

- परावर्तित व्होल्टेज वाजवी आहे.

-RCD, TVS शोषण सर्किट डिझाइन वाजवी आहे.

-परजीवी इंडक्टन्स कमी करण्यासाठी उच्च प्रवाह वायरिंग शक्य तितकी मोठी असावी.

- योग्य गेट रेझिस्टर Rg निवडा.

-आवश्यकतेनुसार उच्च उर्जा पुरवठ्यासाठी आरसी डॅम्पिंग किंवा जेनर डायोड शोषण जोडा.

MOSFET अयशस्वी होण्याची कारणे आणि प्रतिबंध (1)

गेट व्होल्टेज अयशस्वी

असामान्यपणे उच्च ग्रिड व्होल्टेजची तीन मुख्य कारणे आहेत: उत्पादन, वाहतूक आणि असेंब्ली दरम्यान स्थिर वीज; पॉवर सिस्टम ऑपरेशन दरम्यान उपकरणे आणि सर्किट्सच्या परजीवी पॅरामीटर्सद्वारे व्युत्पन्न उच्च व्होल्टेज अनुनाद; आणि उच्च व्होल्टेज शॉक दरम्यान Ggd द्वारे ग्रिडमध्ये उच्च व्होल्टेजचे प्रसारण (विद्युल्लता स्ट्राइक चाचणी दरम्यान अधिक सामान्य दोष).

गेट व्होल्टेज दोष टाळण्यासाठी उपाय:

गेट आणि स्रोत यांच्यातील ओव्हरव्होल्टेज संरक्षण: जेव्हा गेट आणि स्त्रोत यांच्यातील प्रतिबाधा खूप जास्त असते, तेव्हा गेट आणि स्त्रोत यांच्यातील व्होल्टेजमधील अचानक बदल इलेक्ट्रोड्समधील कॅपेसिटन्सद्वारे गेटशी जोडला जातो, परिणामी खूप उच्च UGS व्होल्टेज ओव्हर-रेग्युलेशन, गेटचे अति-नियमन करण्यासाठी अग्रगण्य. कायमस्वरूपी ऑक्सिडेटिव्ह नुकसान. UGS सकारात्मक क्षणिक व्होल्टेजवर असल्यास, डिव्हाइसमध्ये त्रुटी देखील येऊ शकतात. या आधारावर, गेट ड्राइव्ह सर्किटचा प्रतिबाधा योग्यरित्या कमी केला पाहिजे आणि गेट आणि स्त्रोत यांच्यामध्ये डॅम्पिंग रेझिस्टर किंवा 20V स्थिर व्होल्टेज जोडला गेला पाहिजे. ओपन डोअर ऑपरेशन टाळण्यासाठी विशेष काळजी घेतली पाहिजे.

डिस्चार्ज ट्यूब्समधील ओव्हरव्होल्टेज संरक्षण: सर्किटमध्ये इंडक्टर असल्यास, युनिट बंद केल्यावर लीकेज करंट (di/dt) मध्ये अचानक बदल झाल्यामुळे लीकेज व्होल्टेज पुरवठा व्होल्टेजच्या वर ओव्हरशूट होईल, ज्यामुळे युनिटचे नुकसान होईल. संरक्षणामध्ये जेनर क्लॅम्प, आरसी क्लॅम्प किंवा आरसी सप्रेशन सर्किट समाविष्ट असावे.