MOSFET साठी सामान्यतः वापरल्या जाणाऱ्या सर्किट चिन्हांच्या अनेक भिन्नता आहेत. सर्वात सामान्य डिझाइन म्हणजे चॅनेलचे प्रतिनिधित्व करणारी एक सरळ रेषा, स्त्रोत आणि निचरा दर्शविणाऱ्या चॅनेलला लंब असलेल्या दोन रेषा आणि गेटचे प्रतिनिधित्व करणाऱ्या डावीकडील चॅनेलला समांतर एक लहान रेषा. काहीवेळा चॅनेलचे प्रतिनिधित्व करणारी सरळ रेषा देखील वर्धित मोडमध्ये फरक करण्यासाठी तुटलेली रेषा बदलली जातेmosfet किंवा depletion mode mosfet, जे N-channel MOSFET आणि P-चॅनल MOSFET मध्ये देखील विभागलेले आहे दोन प्रकारचे सर्किट चिन्ह आकृतीत दाखवले आहे (बाणाची दिशा वेगळी आहे).
पॉवर MOSFETs दोन मुख्य मार्गांनी कार्य करतात:
(1) जेव्हा D आणि S (निचरा सकारात्मक, स्रोत ऋणात्मक) आणि UGS=0 मध्ये सकारात्मक व्होल्टेज जोडला जातो, तेव्हा P बॉडी प्रदेश आणि N ड्रेन प्रदेशातील PN जंक्शन उलट पक्षपाती असतो आणि D दरम्यान विद्युत प्रवाह जात नाही. आणि S. G आणि S मध्ये सकारात्मक व्होल्टेज UGS जोडल्यास, गेट इन्सुलेटेड असल्यामुळे कोणताही गेट करंट प्रवाहित होणार नाही, परंतु गेटवरील पॉझिटिव्ह व्होल्टेज छिद्रांना P क्षेत्रापासून दूर ढकलेल आणि अल्पसंख्याक वाहक इलेक्ट्रॉन P क्षेत्राच्या पृष्ठभागाकडे आकर्षित होणे जेव्हा UGS ठराविक व्होल्टेज UT पेक्षा जास्त असते, तेव्हा गेटच्या खाली असलेल्या P क्षेत्राच्या पृष्ठभागावरील इलेक्ट्रॉन एकाग्रता छिद्राच्या एकाग्रतेपेक्षा जास्त असेल, अशा प्रकारे P-प्रकार अर्धसंवाहक अँटीपॅटर्न लेयर N-प्रकार सेमीकंडक्टर बनते. ; हा अँटीपॅटर्न लेयर स्त्रोत आणि निचरा दरम्यान एन-टाईप चॅनेल बनवतो, ज्यामुळे PN जंक्शन अदृश्य होते, स्त्रोत आणि ड्रेन प्रवाहकीय होते आणि ड्रेन करंट आयडी ड्रेनमधून वाहते. UT ला टर्न-ऑन व्होल्टेज किंवा थ्रेशोल्ड व्होल्टेज म्हणतात आणि UGS जितका जास्त असेल तितकी प्रवाहकीय क्षमता जास्त असेल आणि ID जितका मोठा असेल. जितका जास्त UGS UT पेक्षा जास्त असेल तितकी चालकता मजबूत असेल, ID जास्त असेल.
(२) जेव्हा D, S अधिक ऋणात्मक व्होल्टेज (स्रोत सकारात्मक, निचरा नकारात्मक), PN जंक्शन फॉरवर्ड बायस्ड, अंतर्गत रिव्हर्स डायोडच्या समतुल्य (फास्ट रिस्पॉन्स वैशिष्ट्ये नसतात), म्हणजे,MOSFET रिव्हर्स ब्लॉकिंग क्षमता नाही, एक व्यस्त वहन घटक म्हणून ओळखले जाऊ शकते.
द्वारेMOSFET ऑपरेशनचे तत्त्व पाहिले जाऊ शकते, त्याचे वहन केवळ एक ध्रुवीय वाहक आहे ज्याला कंडक्टिवमध्ये सामील आहे, ज्याला युनिपोलर ट्रान्झिस्टर देखील म्हणतात. MOSFET ड्राइव्ह बहुतेक वेळा योग्य सर्किट निवडण्यासाठी वीज पुरवठा IC आणि MOSFET पॅरामीटर्सवर आधारित असते, MOSFET चा वापर सामान्यतः स्विचिंगसाठी केला जातो. वीज पुरवठा ड्राइव्ह सर्किट. MOSFET वापरून स्विचिंग पॉवर सप्लाय डिझाइन करताना, बहुतेक लोक MOSFET चे ऑन-रेझिस्टन्स, जास्तीत जास्त व्होल्टेज आणि कमाल करंट विचारात घेतात. तथापि, लोक बऱ्याचदा फक्त या घटकांचा विचार करतात, जेणेकरून सर्किट योग्यरित्या कार्य करू शकेल, परंतु हे एक चांगले डिझाइन सोल्यूशन नाही. अधिक तपशीलवार डिझाइनसाठी, MOSFET ने स्वतःच्या पॅरामीटर माहितीचा देखील विचार केला पाहिजे. निश्चित MOSFET साठी, त्याचे ड्रायव्हिंग सर्किट, ड्राइव्ह आउटपुटचा पीक करंट इ., MOSFET च्या स्विचिंग कार्यक्षमतेवर परिणाम करेल.
पोस्ट वेळ: मे-17-2024
