MOSFET च्या अकार्यक्षमतेच्या कारणांचे विश्लेषण

1, व्होल्टेज अयशस्वी होणे बहुतेकदा BVdss व्होल्टेजच्या स्त्रोतामधील गळती मॉस्फेटच्या रेट केलेल्या व्होल्टेजपेक्षा जास्त असते आणि मॉस्फेट अपयशी ठरण्याच्या विशिष्ट क्षमतेच्या पलीकडे जाते असे म्हटले जाते.

2, सध्याची बिघाड जी मॉस्फेट सुरक्षित कार्य श्रेणीपेक्षा जास्त आहे आणि आयडीमध्ये विभागलेली अवैध, डिव्हाइस वैशिष्ट्यांपेक्षा जास्त आहे आणि त्याच्या आयडीमुळे होणारी बिघाड खूप मोठी आहे, उच्च झीज आणि झीज यामुळे दीर्घकालीन थर्मल संचय होतो. डिव्हाइस आणि अपयश.

3, ब्रिजमध्ये, एलएलसी आणि वर्तमान टोपोलॉजी पार पाडण्यासाठी बॉडी डायोडसाठी इतर प्रभावी, कारण बॉडी डायोड नष्ट झाला आहे आणि अवैध आहे.

4, समांतर अर्ज प्रक्रियेत, सर्किट परजीवी पॅरामीटर्ससह गेट चढउतारांना कारणीभूत ठरेल अनुनाद अपयश.

5, कोरड्या वातावरणात, कारण मानवी शरीर आणि उपकरणे आणि डिव्हाइसद्वारे व्युत्पन्न होणारी स्थिर वीज स्थिर कुचकामी ठरेल.

6. गेटवर असामान्य ऑपरेटिंग व्होल्टेज शिखर असल्यामुळे गेट व्होल्टेज अवैध आहे.

वर आधारित आहेMOSFETअयशस्वी कारणे विश्लेषण, आम्ही संबंधित प्रक्रिया ऑपरेशन करा, इतर समस्या आहेत ऑनलाइन आमच्याशी सल्लामसलत Guanhua Weiye कंपनी स्वागत आहे, प्रभावी उत्तरे आणि गुणवत्ता सेवा वृत्ती प्रदान करू शकता.
ओलुकेक्रेडीट सर्व्हायव्हल कंपनी, "क्वालिटी फर्स्ट, सर्व्हिस फर्स्ट" उद्देशाचे पालन करणे आणि देश-विदेशातील अनेक उच्च-तंत्रज्ञान उपक्रम, मूळ कारखाना, चांगले कामकाजाचे संबंध प्रस्थापित करणे, वितरणातील अनेक वर्षांचा व्यावसायिक अनुभव, चांगल्या पतसह, उत्कृष्ट सेवा, विश्वास आणि समर्थनाच्या विस्तृत श्रेणीमध्ये प्रवेश.