MOSFET कसे कार्य करतात?

1, MOSFETपरिचय

फील्डइफेक्ट ट्रान्झिस्टर संक्षेप (FET)) शीर्षक MOSFET. उष्मा वाहकांमध्ये भाग घेण्यासाठी थोड्या संख्येने वाहक, ज्याला मल्टी-पोल ट्रान्झिस्टर देखील म्हणतात. हे व्होल्टेज मास्टरिंग प्रकार सेमी-सुपरकंडक्टर यंत्रणेशी संबंधित आहे. आउटपुट रेझिस्टन्स जास्त आहे (10^8 ~ 10^9Ω), कमी आवाज, कमी उर्जा वापर, स्थिर श्रेणी, समाकलित करणे सोपे, दुसरी ब्रेकडाउन घटना नाही, समुद्राच्या विस्तृत विमा कार्य आणि इतर फायदे, आता बदलले आहेत द्विध्रुवीय ट्रान्झिस्टर आणि मजबूत सहयोगकर्त्यांचे पॉवर जंक्शन ट्रान्झिस्टर.

 

2, MOSFET वैशिष्ट्ये

1, MOSFET एक व्होल्टेज कंट्रोल डिव्हाइस आहे, ते VGS (गेट सोर्स व्होल्टेज) कंट्रोल आयडी (ड्रेन डीसी) द्वारे;

2, MOSFET च्याआउटपुट डीसी पोल लहान आहे, म्हणून आउटपुट प्रतिरोध मोठा आहे.

3, हे उष्णता चालविण्याकरिता वाहकांच्या लहान संख्येचा वापर आहे, म्हणून त्याच्याकडे स्थिरतेचे चांगले माप आहे;

4, यात इलेक्ट्रिकल रिडक्शन गुणांक कमी करण्याचा मार्ग असतो ज्यामध्ये ट्रायोडमध्ये कपात गुणांकाचा घट मार्ग असतो त्यापेक्षा लहान असतो;

5, MOSFET विरोधी विकिरण क्षमता;

6, आवाजाच्या विखुरलेल्या कणांमुळे ऑलिगॉन डिस्पर्शनच्या सदोष क्रियाकलाप नसल्यामुळे, त्यामुळे आवाज कमी आहे.

 

3, MOSFET कार्य तत्त्व

MOSFET च्याऑपरेटिंग तत्त्व एका वाक्यात, "निचरा - गेटच्या चॅनलमधून वाहणाऱ्या आयडी आणि गेट व्होल्टेज मास्टर आयडीच्या रिव्हर्स बायसने तयार झालेल्या pn जंक्शनमधील चॅनेल दरम्यानचा स्त्रोत" आहे, अचूकपणे सांगायचे तर, आयडी रुंदीतून वाहते. मार्गाचा, म्हणजे, चॅनेल क्रॉस-सेक्शनल एरिया, पीएन जंक्शनच्या रिव्हर्स बायसमधील बदल आहे, ज्यामुळे डिप्लीशन लेयर निर्माण होते विस्तारित भिन्नता नियंत्रणाचे कारण. VGS=0 च्या नॉन-सॅच्युरेटेड समुद्रामध्ये, संक्रमण थराचा विस्तार फार मोठा नसल्यामुळे, ड्रेन-स्रोत दरम्यान व्हीडीएसच्या चुंबकीय क्षेत्राच्या जोडणीनुसार, स्त्रोत समुद्रातील काही इलेक्ट्रॉन द्वारे खेचले जातात. ड्रेन, म्हणजे, नाल्यापासून स्त्रोतापर्यंत डीसी आयडी क्रियाकलाप आहे. गेटपासून नाल्यापर्यंत वाढलेला मध्यम स्तर चॅनेलचा संपूर्ण भाग एक ब्लॉकिंग प्रकार, आयडी पूर्ण बनवतो. या फॉर्मला पिंच-ऑफ म्हणा. संपूर्ण अडथळ्याच्या चॅनेलवर संक्रमण स्तराचे प्रतीक बनवणे, डीसी पॉवर कापण्याऐवजी.

 

ट्रांझिशन लेयरमध्ये इलेक्ट्रॉन्स आणि छिद्रांची मुक्त हालचाल नसल्यामुळे, त्यात आदर्श स्वरूपात जवळजवळ इन्सुलेट गुणधर्म आहेत आणि सामान्य विद्युत प्रवाहासाठी ते कठीण आहे. परंतु नंतर ड्रेन दरम्यानचे विद्युत क्षेत्र - स्त्रोत, खरेतर, दोन संक्रमण स्तर संपर्क ड्रेन आणि गेट पोल खालच्या भागाजवळ, कारण ड्रिफ्ट इलेक्ट्रिक फील्ड संक्रमण स्तराद्वारे हाय-स्पीड इलेक्ट्रॉन्स खेचते. ड्रिफ्ट फील्डची तीव्रता जवळजवळ सतत आयडी सीनची परिपूर्णता निर्माण करते.

 

सर्किट वर्धित पी-चॅनेल MOSFET आणि वर्धित N-चॅनेल MOSFET चे संयोजन वापरते. इनपुट कमी असताना, P-चॅनेल MOSFET चालते आणि आउटपुट पॉवर सप्लायच्या पॉझिटिव्ह टर्मिनलशी जोडलेले असते. जेव्हा इनपुट जास्त असते, तेव्हा N-चॅनेल MOSFET चालते आणि आउटपुट वीज पुरवठा जमिनीशी जोडलेले असते. या सर्किटमध्ये, P-चॅनेल MOSFET आणि N-चॅनेल MOSFET नेहमी विरुद्ध स्थितीत कार्य करतात, त्यांचे फेज इनपुट आणि आउटपुट उलट असतात.