(1) MOSFET हा व्होल्टेज-मॅनिप्युलेटिंग घटक आहे, तर ट्रान्झिस्टर हा विद्युत्-मनिपुलेटिंग घटक आहे. ड्रायव्हिंग क्षमता उपलब्ध नाही, ड्राइव्ह करंट खूप लहान आहे, निवडले पाहिजेMOSFET; आणि सिग्नल मध्ये व्होल्टेज कमी आहे, आणि इलेक्ट्रिक फिशिंग मशीन ड्राइव्ह स्टेज अटींमधून अधिक वर्तमान घेण्याचे वचन दिले आहे, ट्रान्झिस्टर निवडले पाहिजे.
(2) MOSFET हे बहुतेक वाहक प्रवाहकीय, तथाकथित एकध्रुवीय उपकरणाचा वापर आहे, तर ट्रान्झिस्टर असे आहे की तेथे बहुसंख्य वाहक आहेत, परंतु कमी संख्येने वाहक प्रवाहकांचा देखील वापर आहे. त्याला द्विध्रुवीय उपकरण म्हणतात.
(3) काहीMOSFET गेट व्होल्टेजच्या वापरासाठी स्त्रोत आणि ड्रेनची देवाणघेवाण केली जाऊ शकते, सकारात्मक किंवा नकारात्मक असू शकते, ट्रान्झिस्टरपेक्षा लवचिकता चांगली आहे.
(4) MOSFET अतिशय कमी विद्युत् प्रवाह आणि अतिशय कमी व्होल्टेज स्थितीत कार्य करू शकते आणि सिलिकॉन चिपमध्ये अनेक MOSFET समाकलित करण्यासाठी त्याची उत्पादन प्रक्रिया अतिशय सोयीस्कर असू शकते, म्हणून मोठ्या प्रमाणात एकात्मिक सर्किट्समध्ये MOSFET चा मोठ्या प्रमाणावर वापर केला जातो.
(5) MOSFET मध्ये उच्च इनपुट प्रतिबाधा आणि कमी आवाजाचे फायदे आहेत, म्हणून ते विविध प्रकारच्या इलेक्ट्रॉनिक ट्रॅप उपकरणांमध्ये देखील मोठ्या प्रमाणावर वापरले जाते. विशेषत: फील्ड इफेक्ट ट्यूबसह संपूर्ण इलेक्ट्रॉनिक उपकरणे इनपुट, आउटपुट स्टेज, सामान्य ट्रान्झिस्टर प्राप्त करू शकतात कार्यापर्यंत पोहोचणे कठीण आहे.
(६)MOSFETs दोन श्रेणींमध्ये विभागले गेले आहेत: लाल जंक्शन प्रकार आणि इन्सुलेटेड गेट प्रकार, आणि त्यांच्या हाताळणीची तत्त्वे समान आहेत.
खरं तर, ट्रायोड स्वस्त आणि वापरण्यास अधिक सोयीस्कर आहे, सामान्यतः जुन्या कमी-फ्रिक्वेंसी फिशर्समध्ये वापरला जातो, उच्च-फ्रिक्वेंसी हाय-स्पीड सर्किट्ससाठी MOSFET, उच्च-वर्तमान प्रसंग, त्यामुळे नवीन प्रकारचे उच्च-फ्रिक्वेंसी अल्ट्रासोनिक फिशर्स, आवश्यक आहेमोठा एमओएस. साधारणपणे बोलायचे झाल्यास, कमी किमतीच्या प्रसंगी, ट्रांझिस्टरच्या वापराचा विचार करण्यासाठी प्रथम सामान्य वापर, जर तुम्हाला एमओएसचा विचार करायचा असेल तर नाही.
MOSFET ब्रेकडाउन कारणे आणि उपाय खालीलप्रमाणे आहेत
प्रथम, MOSFET चा इनपुट प्रतिरोध खूप जास्त आहे, आणि गेट - स्त्रोत इंटर-इलेक्ट्रोड कॅपॅसिटन्स खूप लहान आहे, म्हणून ते बाह्य इलेक्ट्रोमॅग्नेटिक फील्ड किंवा इलेक्ट्रोस्टॅटिक इंडक्टन्स आणि चार्ज करण्यासाठी खूप संवेदनाक्षम आहे आणि थोड्या प्रमाणात चार्ज तयार होऊ शकतो. योग्य उच्च व्होल्टेज (U = Q / C) च्या इंटर-इलेक्ट्रोड कॅपेसिटन्समध्ये, ट्यूब खराब होईल. इलेक्ट्रिक फिशिंग मशीनच्या एमओएस इनपुटमध्ये अँटी-स्टॅटिक देखभाल उपाय आहेत, परंतु तरीही काळजीपूर्वक उपचार करणे आवश्यक आहे, सर्वोत्तम धातूचे कंटेनर किंवा प्रवाहकीय सामग्री पॅकेजिंगच्या साठवण आणि वितरणामध्ये, स्थिर उच्च व्होल्टेजवर हल्ला करणे सोपे करू नका. रासायनिक साहित्य किंवा रासायनिक फायबर फॅब्रिक्स. असेंब्ली, कमिशनिंग, गोष्टी, देखावा, वर्कस्टेशन, इत्यादी उत्कृष्ट ग्राउंडिंग असावे. ऑपरेटरच्या इलेक्ट्रोस्टॅटिक हस्तक्षेपाचे नुकसान टाळण्यासाठी, जसे की नायलॉन, रासायनिक फायबरचे कपडे, हात किंवा काहीतरी घालू नये म्हणून एकात्मिक ब्लॉकला स्पर्श करण्यापूर्वी जमिनीला जोडणे चांगले आहे. उपकरणे लीड स्ट्रेटनिंग आणि बेंडिंग किंवा मॅन्युअल वेल्डिंगसाठी, उत्कृष्ट ग्राउंडिंगसाठी उपकरणे वापरणे आवश्यक आहे.
दुसरे, MOSFET सर्किटच्या इनपुटवरील मेंटेनन्स डायोड, त्याची ऑन-टाइम वर्तमान सहनशीलता सामान्यतः 1mA असते जास्त चंचल इनपुट करंट (10mA च्या पलीकडे) च्या शक्यतेमध्ये, इनपुट मेंटेनन्स रेझिस्टरशी कनेक्ट केले जावे. आणि सुरुवातीच्या डिझाइनमध्ये 129 # ने मेंटेनन्स रेझिस्टरमध्ये भाग घेतला नाही, त्यामुळे MOSFET मध्ये बिघाड होण्याचे कारण आहे आणि MOSFET मध्ये अंतर्गत देखभाल रेझिस्टर बदलून अशा बिघाडाची सुरुवात टाळता आली पाहिजे. आणि क्षणिक ऊर्जा शोषून घेणारा मेंटेनन्स सर्किट मर्यादित असल्यामुळे, खूप मोठा क्षणिक सिग्नल आणि खूप जास्त इलेक्ट्रोस्टॅटिक व्होल्टेजमुळे मेंटेनन्स सर्किटचा प्रभाव कमी होतो. त्यामुळे जेव्हा वेल्डिंग सोल्डरिंग लोह घट्टपणे ग्राउंड करणे आवश्यक असते तेव्हा गळती टाळण्यासाठी उपकरणे इनपुट, सामान्य वापर, वेल्डिंगसाठी सोल्डरिंग लोखंडाच्या अवशिष्ट उष्णतेच्या वापरानंतर बंद केले जाऊ शकते आणि प्रथम त्याच्या ग्राउंडेड पिन वेल्ड करा.
पोस्ट वेळ: जुलै-31-2024
