क्रिस्टल ट्रान्झिस्टरची मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर रचना सामान्यतः म्हणून ओळखली जातेMOSFET, जेथे MOSFETs P-प्रकार MOSFETs आणि N-प्रकार MOSFETs मध्ये विभागलेले आहेत. MOSFET ने बनलेल्या एकात्मिक सर्किट्सना MOSFET इंटिग्रेटेड सर्किट्स देखील म्हणतात आणि PMOSFET आणि PMOSFET ने बनलेले जवळचे संबंधित MOSFET इंटिग्रेटेड सर्किट्स.NMOSFETs त्यांना CMOSFET इंटिग्रेटेड सर्किट्स म्हणतात.
एक MOSFET ज्यामध्ये p-प्रकारचे सब्सट्रेट आणि दोन n-स्प्रेडिंग क्षेत्रे असतात ज्यात उच्च एकाग्रता मूल्ये असतात त्याला n-चॅनेल म्हणतात.MOSFET, आणि n-प्रकारच्या प्रवाहकीय वाहिनीमुळे होणारी प्रवाहकीय वाहिनी ट्यूब चालवते तेव्हा उच्च एकाग्रता मूल्यांसह दोन n-स्प्रेडिंग मार्गांमधील n-स्प्रेडिंग मार्गांमुळे होते. n-चॅनेल जाड MOSFETs मध्ये प्रवाहकीय वाहिनीमुळे उद्भवणारे n-चॅनेल असते जेव्हा गेटवर सकारात्मक दिशात्मक पूर्वाग्रह शक्य तितका वाढविला जातो आणि जेव्हा गेट स्त्रोत ऑपरेशनला थ्रेशोल्ड व्होल्टेजपेक्षा जास्त ऑपरेटिंग व्होल्टेज आवश्यक असते. n-चॅनेल कमी करणे MOSFETs असे आहेत जे गेट व्होल्टेजसाठी तयार नाहीत (गेट सोर्स ऑपरेशनसाठी शून्य ऑपरेटिंग व्होल्टेज आवश्यक आहे). एक n-चॅनेल प्रकाश कमी MOSFET एक n-चॅनेल MOSFET आहे ज्यामध्ये गेट व्होल्टेज (गेट स्त्रोत ऑपरेटिंग आवश्यकता ऑपरेटिंग व्होल्टेज शून्य आहे) तयार नसताना प्रवाहकीय चॅनेल उद्भवते.
NMOSFET इंटिग्रेटेड सर्किट्स म्हणजे N-चॅनेल MOSFET पॉवर सप्लाय सर्किट, NMOSFET इंटिग्रेटेड सर्किट्स, इनपुट रेझिस्टन्स खूप जास्त आहे, बहुसंख्य लोकांना पॉवर फ्लोचे शोषण पचवण्याची गरज नाही आणि अशा प्रकारे CMOSFET आणि NMOSFET एकात्मिक सर्किट्समध्ये न घेता जोडलेले आहेत. पॉवर फ्लोचा भार लक्षात घ्या.NMOSFET इंटिग्रेटेड सर्किट्स, एकल-ग्रुप पॉझिटिव्ह स्विचिंग पॉवर सप्लाय सर्किट पॉवर सप्लाय सर्किट्सची निवड बहुसंख्य NMOSFET इंटिग्रेटेड सर्किट्स एकल पॉझिटिव्ह स्विचिंग पॉवर सप्लाय सर्किट पॉवर सप्लाय सर्किट वापरतात आणि अधिकसाठी 9V. CMOSFET इंटिग्रेटेड सर्किट्सना फक्त NMOSFET इंटिग्रेटेड सर्किट्स प्रमाणेच स्विचिंग पॉवर सप्लाय सर्किट पॉवर सप्लाय सर्किट वापरणे आवश्यक आहे, NMOSFET इंटिग्रेटेड सर्किट्ससह त्वरित कनेक्ट केले जाऊ शकते. तथापि, NMOSFET ते CMOSFET ताबडतोब कनेक्ट केले आहे, कारण NMOSFET आउटपुट पुल-अप प्रतिरोध CMOSFET इंटिग्रेटेड सर्किट कीड पुल-अप प्रतिरोधापेक्षा कमी आहे, म्हणून संभाव्य फरक पुल-अप रेझिस्टर R लागू करण्याचा प्रयत्न करा, रेझिस्टर R चे मूल्य आहे. साधारणपणे 2 ते 100KΩ.
एन-चॅनेल जाड MOSFETs बांधणे
कमी डोपिंग एकाग्रता मूल्यासह P-प्रकार सिलिकॉन सब्सट्रेटवर, उच्च डोपिंग एकाग्रता मूल्यासह दोन N क्षेत्रे तयार केली जातात आणि ड्रेन d आणि स्त्रोत s म्हणून काम करण्यासाठी ॲल्युमिनियम धातूपासून दोन इलेक्ट्रोड काढले जातात.
नंतर अर्धसंवाहक घटक पृष्ठभाग मास्किंग सिलिका इन्सुलेटिंग ट्यूबचा एक अतिशय पातळ थर, नाल्यामध्ये - गेट जी म्हणून ड्रेन आणि दुसर्या ॲल्युमिनियम इलेक्ट्रोडच्या स्त्रोताच्या दरम्यान स्त्रोत इन्सुलेट ट्यूब.
सब्सट्रेटमध्ये एक इलेक्ट्रोड बी देखील निघतो, ज्यामध्ये एन-चॅनेल जाड MOSFET असते. MOSFET स्त्रोत आणि सब्सट्रेट सामान्यत: एकत्र जोडलेले असतात, कारखान्यातील बहुतेक पाईप बर्याच काळापासून त्याच्याशी जोडलेले असतात, त्याचे गेट आणि इतर इलेक्ट्रोड केसिंग दरम्यान इन्सुलेटेड असतात.
पोस्ट वेळ: मे-26-2024
