या उच्च-कार्यक्षमतेच्या इलेक्ट्रॉनिक घटकांचा प्रभावीपणे वापर करण्यासाठी MOSFETs (मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टर) चे ऑपरेशनल तत्त्वे समजून घेणे महत्त्वाचे आहे. एमओएसएफईटी हे इलेक्ट्रॉनिक उपकरणांमध्ये अपरिहार्य घटक आहेत आणि ते समजून घेणे उत्पादकांसाठी आवश्यक आहे.
व्यवहारात, असे उत्पादक आहेत जे त्यांच्या अर्जादरम्यान MOSFETs च्या विशिष्ट कार्यांची पूर्णपणे प्रशंसा करू शकत नाहीत. तरीही, इलेक्ट्रॉनिक उपकरणांमधील MOSFET चे कार्य तत्त्वे आणि त्यांच्याशी संबंधित भूमिका समजून घेऊन, कोणीही त्याची अद्वितीय वैशिष्ट्ये आणि उत्पादनाची विशिष्ट वैशिष्ट्ये लक्षात घेऊन सर्वात योग्य MOSFET निवडू शकतो. ही पद्धत उत्पादनाची कार्यक्षमता वाढवते, बाजारात त्याची स्पर्धात्मकता वाढवते.
WINSOK SOT-23-3 पॅकेज MOSFET
MOSFET कार्य तत्त्वे
जेव्हा MOSFET चा गेट-सोर्स व्होल्टेज (VGS) शून्य असतो, अगदी ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (VDS) वापरूनही, नेहमी रिव्हर्स बायसमध्ये PN जंक्शन असतो, परिणामी दरम्यान कोणतेही प्रवाहकीय चॅनेल (आणि प्रवाह नसतो) MOSFET चा निचरा आणि स्त्रोत. या स्थितीत, MOSFET चा ड्रेन करंट (आयडी) शून्य आहे. गेट आणि स्त्रोत (VGS > 0) दरम्यान सकारात्मक व्होल्टेज लागू केल्याने MOSFET च्या गेट आणि सिलिकॉन सब्सट्रेट दरम्यान SiO2 इन्सुलेटिंग लेयरमध्ये इलेक्ट्रिक फील्ड तयार होते, जे गेटपासून P-प्रकार सिलिकॉन सब्सट्रेटच्या दिशेने निर्देशित होते. ऑक्साईडचा थर इन्सुलेट होत आहे हे लक्षात घेता, गेटला लागू केलेला व्होल्टेज, VGS, MOSFET मध्ये विद्युतप्रवाह निर्माण करू शकत नाही. त्याऐवजी, ते ऑक्साईड स्तरावर एक कॅपेसिटर बनवते.
व्हीजीएस हळूहळू वाढत असताना, कॅपेसिटर चार्ज होतो, ज्यामुळे विद्युत क्षेत्र तयार होते. गेटवरील पॉझिटिव्ह व्होल्टेजने आकर्षित होऊन, कॅपेसिटरच्या दुसऱ्या बाजूला असंख्य इलेक्ट्रॉन्स जमा होतात, ज्यामुळे MOSFET मधील नाल्यापासून स्त्रोतापर्यंत N-प्रकारचे प्रवाहकीय वाहिनी तयार होते. जेव्हा VGS थ्रेशोल्ड व्होल्टेज VT (सामान्यत: 2V च्या आसपास) ओलांडते, तेव्हा MOSFET चे N-चॅनेल चालते, ड्रेन करंट आयडीचा प्रवाह सुरू करते. गेट-स्रोत व्होल्टेज ज्यावर चॅनेल तयार होण्यास सुरुवात होते त्याला थ्रेशोल्ड व्होल्टेज VT असे संबोधले जाते. VGS चे परिमाण आणि परिणामी विद्युत क्षेत्र नियंत्रित करून, MOSFET मधील ड्रेन करंट आयडीचा आकार सुधारला जाऊ शकतो.
WINSOK DFN5x6-8 पॅकेज MOSFET
MOSFET अनुप्रयोग
MOSFET त्याच्या उत्कृष्ट स्विचिंग वैशिष्ट्यांसाठी प्रसिद्ध आहे, ज्यामुळे इलेक्ट्रॉनिक स्विचेसची आवश्यकता असलेल्या सर्किट्समध्ये त्याचा व्यापक उपयोग होतो, जसे की स्विच-मोड पॉवर सप्लाय. 5V पॉवर सप्लाय वापरणाऱ्या लो-व्होल्टेज ऍप्लिकेशन्समध्ये, पारंपारिक संरचनांच्या वापरामुळे बायपोलर जंक्शन ट्रान्झिस्टरच्या बेस-एमिटर (सुमारे 0.7V) मध्ये व्होल्टेज कमी होते, ज्याच्या गेटवर लागू केलेल्या अंतिम व्होल्टेजसाठी फक्त 4.3V राहतो. MOSFET. अशा परिस्थितीत, 4.5V च्या नाममात्र गेट व्होल्टेजसह MOSFET ची निवड केल्याने काही धोके निर्माण होतात. हे आव्हान 3V किंवा इतर कमी-व्होल्टेज वीज पुरवठ्याचा समावेश असलेल्या अनुप्रयोगांमध्ये देखील प्रकट होते.
पोस्ट वेळ: ऑक्टोबर-२७-२०२३
