MOSFET (फील्ड इफेक्ट ट्रान्झिस्टर संक्षेप (FET)) शीर्षकMOSFET. थर्मल चालकता मध्ये सहभागी होण्यासाठी वाहकांच्या थोड्या संख्येने, ज्याला मल्टी-पोल जंक्शन ट्रान्झिस्टर देखील म्हणतात. हे व्होल्टेज-नियंत्रित अर्ध-सुपरकंडक्टर उपकरण म्हणून वर्गीकृत आहे. विद्यमान आउटपुट प्रतिरोध उच्च आहे (10^8 ~ 10^9 Ω), कमी आवाज, कमी उर्जा वापर, स्थिर श्रेणी, समाकलित करणे सोपे, दुसरी खंडित घटना नाही, विस्तृत समुद्राचे विमा कार्य आणि इतर फायदे, आता बदलले आहे. द्विध्रुवीय जंक्शन ट्रान्झिस्टर आणि मजबूत सहयोगींचे पॉवर जंक्शन ट्रान्झिस्टर.
MOSFET वैशिष्ट्ये
प्रथम: MOSFET एक व्होल्टेज मास्टरिंग डिव्हाइस आहे, ते VGS (गेट सोर्स व्होल्टेज) द्वारे मास्टर आयडी (ड्रेन डीसी);
दुसरा:MOSFET च्याआउटपुट डीसी खूप लहान आहे, त्यामुळे त्याचा आउटपुट प्रतिरोध खूप मोठा आहे.
तीन: उष्णता चालविण्यासाठी काही वाहकांचा वापर केला जातो, आणि त्यामुळे त्याची स्थिरता अधिक चांगली असते;
चार: यात ट्रान्झिस्टरपेक्षा लहान गुणांकांच्या विद्युत घटाचा कमी केलेला मार्ग लहान गुणांकांच्या विद्युत घटाचा कमी केलेला मार्ग असतो;
पाचवा: MOSFET विरोधी विकिरण शक्ती;
सहा: आवाजाच्या विखुरलेल्या कणांमुळे होणाऱ्या अल्पसंख्याक पांगापांगाची कोणतीही सदोष क्रिया नाही, कारण आवाज कमी आहे.
MOSFET कार्य तत्त्व
MOSFETटास्क तत्त्व एका वाक्यात, म्हणजे, "आयडी दरम्यान चॅनेलमधून ड्रेन - स्त्रोत चालणे, इलेक्ट्रोडसह आणि पीएन दरम्यानच्या चॅनेलला आयडी मास्टर करण्यासाठी रिव्हर्स बायस इलेक्ट्रोड व्होल्टेजमध्ये बनवले जाते". अधिक अचूकपणे, सर्किट ओलांडून आयडीचे मोठेपणा, म्हणजे, चॅनेल क्रॉस-सेक्शनल क्षेत्र, ते pn जंक्शन प्रति-पक्षपाती भिन्नतेद्वारे आहे, कारणाच्या प्रभुत्वाच्या भिन्नतेचा विस्तार करण्यासाठी क्षीण थरची घटना. VGS=0 च्या नॉन-सॅच्युरेटेड समुद्रामध्ये, सूचित संक्रमण स्तराचा विस्तार फार मोठा नाही कारण, ड्रेन-स्रोत दरम्यान जोडलेल्या VDS च्या चुंबकीय क्षेत्रानुसार, स्त्रोत समुद्रातील काही इलेक्ट्रॉन नाल्याद्वारे दूर खेचले जातात. , म्हणजे, नाल्यापासून स्त्रोतापर्यंत DC ID क्रियाकलाप आहे. गेटपासून नाल्यापर्यंत पसरणारा मध्यम स्तर चॅनेलच्या संपूर्ण भागाचा एक ब्लॉकेज प्रकार तयार करेल, आयडी पूर्ण. पिंच-ऑफ म्हणून या पॅटर्नचा संदर्भ घ्या. हे प्रतीक आहे की संक्रमण स्तर संपूर्ण चॅनेलमध्ये अडथळा आणतो आणि असे नाही की डीसी कापला जातो.
ट्रांझिशन लेयरमध्ये, इलेक्ट्रॉन आणि छिद्रांची स्वत: ची हालचाल नसल्यामुळे, सामान्य डीसी करंटच्या अस्तित्वाच्या इन्सुलेटिंग वैशिष्ट्यांच्या वास्तविक स्वरूपात हलविणे कठीण आहे. तथापि, ड्रेनमधील चुंबकीय क्षेत्र - स्त्रोत, व्यवहारात, दोन संक्रमण स्तर संपर्क ड्रेन आणि गेट पोल खालच्या डावीकडे, कारण ड्रिफ्ट चुंबकीय क्षेत्र संक्रमण स्तराद्वारे हाय-स्पीड इलेक्ट्रॉन्स खेचते. कारण ड्रिफ्ट मॅग्नेटिक फील्डची ताकद आयडी सीनची पूर्णता बदलत नाही. दुसरे म्हणजे, VGS ते नकारात्मक स्थिती बदलते, ज्यामुळे VGS = VGS (बंद), नंतर संक्रमण थर मोठ्या प्रमाणात संपूर्ण समुद्राला झाकण्याचा आकार बदलतो. आणि व्हीडीएसचे चुंबकीय क्षेत्र मोठ्या प्रमाणात संक्रमण स्तरामध्ये जोडले जाते, चुंबकीय क्षेत्र जे इलेक्ट्रॉनला ड्रिफ्ट पोझिशनवर खेचते, जोपर्यंत अगदी लहान ऑलच्या स्त्रोत ध्रुवाच्या जवळ असते, जे जास्त असते जेणेकरून डीसी पॉवर नसते. स्थिर करण्यास सक्षम.
पोस्ट वेळ: एप्रिल-१२-२०२४
