इलेक्ट्रॉनिक घटकांमध्ये इलेक्ट्रिकल पॅरामीटर्स असतात आणि इलेक्ट्रॉनिक घटकांची स्थिरता आणि दीर्घकालीन ऑपरेशन सुनिश्चित करण्यासाठी प्रकार निवडताना इलेक्ट्रॉनिक घटकांसाठी पुरेसे मार्जिन सोडणे महत्त्वाचे आहे. पुढे थोडक्यात ट्रायोड आणि MOSFET निवड पद्धत सादर करा.
ट्रायोड हे प्रवाह-नियंत्रित साधन आहे, MOSFET हे व्होल्टेज-नियंत्रित साधन आहे, दोन्हीमध्ये समानता आहेत, निवड करताना विदंड व्होल्टेज, वर्तमान आणि इतर मापदंडांचा विचार करणे आवश्यक आहे.
1, कमाल withstand व्होल्टेज निवड त्यानुसार
ट्रायोड कलेक्टर C आणि emitter E हे पॅरामीटर V (BR) CEO मधील कमाल व्होल्टेजचा सामना करू शकतात, ऑपरेशन दरम्यान CE मधील व्होल्टेज निर्दिष्ट मूल्यापेक्षा जास्त नसावा, अन्यथा ट्रायोड कायमचे खराब होईल.
वापरादरम्यान ड्रेन D आणि MOSFET च्या स्रोत S दरम्यान कमाल व्होल्टेज देखील अस्तित्त्वात आहे आणि ऑपरेशन दरम्यान DS मधील व्होल्टेज निर्दिष्ट मूल्यापेक्षा जास्त नसावा. साधारणपणे, व्होल्टेज withstand मूल्यMOSFETTriode पेक्षा खूप जास्त आहे.
2, कमाल ओव्हरकरंट क्षमता
ट्रायोडमध्ये ICM पॅरामीटर आहे, म्हणजे कलेक्टर ओव्हरकरंट क्षमता आणि MOSFET ची ओव्हरकरंट क्षमता ID च्या संदर्भात व्यक्त केली जाते. वर्तमान ऑपरेशन करताना, ट्रायोड/MOSFET मधून वाहणारा विद्युत् प्रवाह निर्दिष्ट मूल्यापेक्षा जास्त असू शकत नाही, अन्यथा डिव्हाइस बर्न केले जाईल.
ऑपरेटिंग स्थिरता लक्षात घेता, साधारणपणे 30%-50% किंवा त्याहून अधिक मार्जिनला परवानगी आहे.
3,ऑपरेटिंग तापमान
व्यावसायिक-दर्जाच्या चिप्स: सामान्य श्रेणी 0 ते +70 ℃;
औद्योगिक-दर्जाच्या चिप्स: सामान्य श्रेणी -40 ते +85 ℃;
मिलिटरी ग्रेड चिप्स: सामान्य श्रेणी -55 ℃ ते +150 ℃;
MOSFET निवड करताना, उत्पादनाच्या वापराच्या प्रसंगानुसार योग्य चिप निवडा.
4, स्विचिंग वारंवारता निवडीनुसार
ट्रायोड आणि दोन्हीMOSFETस्विचिंग वारंवारता/प्रतिसाद वेळेचे मापदंड आहेत. उच्च-फ्रिक्वेंसी सर्किट्समध्ये वापरल्यास, वापराच्या अटी पूर्ण करण्यासाठी स्विचिंग ट्यूबचा प्रतिसाद वेळ विचारात घेणे आवश्यक आहे.
5,इतर निवड अटी
उदाहरणार्थ, MOSFET चे ऑन-रेझिस्टन्स रॉन पॅरामीटर, VTH टर्न-ऑन व्होल्टेजMOSFET, आणि असेच.
MOSFET निवडीतील प्रत्येकजण, आपण निवडीसाठी वरील मुद्दे एकत्र करू शकता.
पोस्ट वेळ: एप्रिल-२७-२०२४
