MOSFETs चे पॅरामीटर विश्लेषण आणि मापन

चे मुख्य पॅरामीटर्सचे अनेक प्रकार आहेतMOSFET, ज्यामध्ये DC करंट, AC चालू पॅरामीटर्स आणि मर्यादा पॅरामीटर्स असतात, परंतु सामान्य ऍप्लिकेशनला फक्त खालील मूलभूत पॅरामीटर्सची काळजी घेणे आवश्यक आहे: गळती स्त्रोताची संपृक्तता स्थिती वर्तमान IDSS पिंच-ऑफ व्होल्टेज अप, ट्रान्सकंडक्टन्स gm, लीकेज स्त्रोत ब्रेकडाउन व्होल्टेज BUDS, मोठ्या तोटा आउटपुट पॉवर PDSM आणि मोठ्या गळती स्रोत वर्तमान IDSM.

1.संतृप्त गळती स्रोत वर्तमान

संतृप्त ड्रेन-स्रोत करंट IDSS म्हणजे गेट व्होल्टेज UGS = 0 मध्ये जंक्शन किंवा डिप्लेशन प्रकार इन्सुलेटेड-लेयर गेट MOSFETs वर ड्रेन-स्रोत करंट.

2. क्लिप-ऑफ व्होल्टेज

पिंच-ऑफ व्होल्टेज यूपी म्हणजे जंक्शन किंवा डिप्लेशन प्रकार इन्सुलेटेड लेयर गेटमधील गेट व्होल्टेज ऑपरेटिंग व्होल्टेजMOSFETजे ड्रेन-स्रोत फक्त कट ऑफ करते. IDSS आणि UP चा अर्थ काय ते शोधा.

3, व्होल्टेज चालू करा

टर्न-ऑन व्होल्टेज यूटी म्हणजे प्रबलित इन्सुलेटेड-गेट MOSFET मध्ये गेट व्होल्टेज ऑपरेटिंग व्होल्टेज जेणेकरुन ड्रेन-स्रोत इंटरकनेक्ट चालू होईल. UT चा अर्थ काय आहे ते शोधा.

4.क्रॉस-मार्गदर्शन

ड्रेन करंट नियंत्रित करण्यासाठी गेट सोर्स व्होल्टेजची क्षमता, म्हणजेच ड्रेन करंटमधील बदल आणि गेट सोर्स व्होल्टेजमधील बदल यांच्यातील गुणोत्तर दर्शवण्यासाठी ट्रान्सगाइड ग्रॅमचा वापर केला जातो.

5, आउटपुट पॉवरचे जास्तीत जास्त नुकसानr

कमाल तोटा आउटपुट पॉवर देखील मर्यादेच्या पॅरामीटरशी संबंधित आहे, याचा अर्थ कमाल ड्रेन-स्रोत लॉस पॉवर ज्याला परवानगी दिली जाऊ शकते जेव्हाMOSFETसामान्य आणि अप्रभावित आहे. जेव्हा आम्ही MOSFET वापरतो, तेव्हा त्याचे कार्यात्मक नुकसान PDSM आणि विशिष्ट मूल्यापेक्षा कमी असावे.

6, कमाल गळती स्रोत वर्तमान

जास्तीत जास्त ड्रेन-स्रोत करंट, IDSM, हे देखील एक मर्यादित पॅरामीटर आहे, ज्याचा अर्थ सामान्य ऑपरेशन दरम्यान MOSFET च्या ड्रेन आणि स्त्रोत यांच्यामध्ये जाण्यासाठी परवानगी असलेला कमाल प्रवाह, आणि MOSFET चालू असताना तो ओलांडू नये.

सक्रिय बाजार विकास आणि प्रभावी संसाधन एकत्रीकरणाद्वारे ओलुके हे आशियातील सर्वोत्तम आणि जलद वाढणारे एजंट बनले आहे आणि जगातील सर्वात मौल्यवान एजंट बनणे हे ओलुकेचे सामान्य ध्येय आहे.