उच्च पॉवर MOSFET ड्रायव्हिंग सर्किटची उत्पादन पद्धत

दोन मुख्य उपाय आहेत:

एक म्हणजे MOSFET चालविण्यासाठी समर्पित ड्रायव्हर चिप वापरणे, किंवा वेगवान फोटोकपलरचा वापर करणे, MOSFET चालविण्यासाठी ट्रान्झिस्टर एक सर्किट तयार करतात, परंतु पहिल्या प्रकारच्या दृष्टिकोनासाठी स्वतंत्र वीज पुरवठ्याची तरतूद आवश्यक असते; MOSFET चालवण्यासाठी पल्स ट्रान्सफॉर्मरचा दुसरा प्रकार, आणि पल्स ड्राइव्ह सर्किटमध्ये, ड्रायव्हिंग क्षमता वाढवण्यासाठी, शक्य तितक्या घटकांची संख्या कमी करण्यासाठी ड्राइव्ह सर्किटची स्विचिंग वारंवारता कशी सुधारायची, याची तातडीची गरज आहे. निराकरण करण्यासाठीवर्तमान समस्या.

पहिल्या प्रकारची ड्राइव्ह योजना, अर्ध्या पुलासाठी दोन स्वतंत्र वीज पुरवठा आवश्यक आहे; पूर्ण-पुलासाठी तीन स्वतंत्र वीज पुरवठा आवश्यक आहे, अर्धा पूल आणि पूर्ण-पुल दोन्ही, बरेच घटक, खर्च कमी करण्यास अनुकूल नाहीत.

ड्रायव्हिंग प्रोग्रामचा दुसरा प्रकार, आणि पेटंट ही शोध नावाची सर्वात जवळची पूर्वीची कला आहे "उच्च-शक्तीMOSFET ड्राइव्ह सर्किट" पेटंट (अनुप्रयोग क्रमांक 200720309534. 8), पेटंट केवळ उच्च-शक्ती MOSFET चार्जचे गेट स्त्रोत सोडण्यासाठी डिस्चार्ज रेझिस्टन्स जोडते, बंद करण्याचा उद्देश साध्य करण्यासाठी, PWM सिग्नलची घसरण धार मोठी आहे. PWM सिग्नलची घसरण धार मोठी आहे, ज्यामुळे MOSFET, पॉवर मंद गतीने बंद होईल नुकसान खूप मोठे आहे;

याव्यतिरिक्त, पेटंट प्रोग्राम MOSFET कार्य हस्तक्षेपास संवेदनाक्षम आहे, आणि PWM कंट्रोल चिपमध्ये मोठ्या प्रमाणात आउटपुट पॉवर असणे आवश्यक आहे, ज्यामुळे चिपचे तापमान जास्त होते, ज्यामुळे चिपच्या सेवा जीवनावर परिणाम होतो. आविष्काराची सामग्री PWM कंट्रोल चिप प्राथमिक पल्स ट्रान्सफॉर्मरशी जोडलेली आहे, प्रथम आउटपुट of दुय्यम पल्स ट्रान्सफॉर्मर पहिल्या MOSFET गेटशी जोडलेले आहे, द्वितीयक पल्स ट्रान्सफॉर्मरचे दुसरे आउटपुट पहिल्या MOSFET गेटशी जोडलेले आहे, द्वितीयक पल्स ट्रान्सफॉर्मरचे दुसरे आउटपुट पहिल्या MOSFET गेटशी जोडलेले आहे. पल्स ट्रान्सफॉर्मर दुय्यमचे पहिले आउटपुट पहिल्या MOSFET च्या गेटशी जोडलेले आहे, पल्स ट्रान्सफॉर्मर दुय्यमचे दुसरे आउटपुट दुसऱ्या MOSFET च्या गेटशी जोडलेले आहे, असे वैशिष्ट्य आहे की पल्स ट्रान्सफॉर्मर दुय्यमचे पहिले आउटपुट देखील जोडलेले आहे. पहिल्या डिस्चार्ज ट्रान्झिस्टरला, आणि पल्स ट्रान्सफॉर्मर दुय्यमचे दुसरे आउटपुट देखील दुसऱ्या डिस्चार्ज ट्रान्झिस्टरशी जोडलेले आहे. पल्स ट्रान्सफॉर्मरची प्राथमिक बाजू ऊर्जा साठवण आणि रिलीझ सर्किटशी देखील जोडलेली असते.

एनर्जी स्टोरेज रिलीझ सर्किटमध्ये रेझिस्टर, कॅपेसिटर आणि डायोड समाविष्ट आहे, रेझिस्टर आणि कॅपेसिटर समांतर जोडलेले आहेत आणि वर नमूद केलेले समांतर सर्किट डायोडसह मालिकेत जोडलेले आहे. युटिलिटी मॉडेलचा फायदेशीर प्रभाव आहे युटिलिटी मॉडेलमध्ये ट्रान्सफॉर्मर दुय्यमच्या पहिल्या आउटपुटशी जोडलेला पहिला डिस्चार्ज ट्रान्झिस्टर देखील असतो आणि दुसरा डिस्चार्ज ट्रान्झिस्टर पल्स ट्रान्सफॉर्मरच्या दुसऱ्या आउटपुटशी जोडलेला असतो, जेणेकरून जेव्हा पल्स ट्रान्सफॉर्मर आउटपुट कमी करते. पातळी, MOSFET च्या शटडाउन गतीमध्ये सुधारणा करण्यासाठी, आणि MOSFET नुकसान कमी करा. PWM कंट्रोल चिपचा सिग्नल प्राथमिक आउटपुट आणि पल्स ट्रान्सफॉर्मर प्रायमरी दरम्यान सिग्नल ॲम्प्लीफिकेशन MOSFET शी जोडलेला आहे, ज्याचा उपयोग सिग्नल ॲम्प्लीफिकेशनसाठी केला जाऊ शकतो. PWM कंट्रोल चिपचे सिग्नल आउटपुट आणि प्राथमिक पल्स ट्रान्सफॉर्मर सिग्नल प्रवर्धनासाठी MOSFET शी जोडलेले आहेत, ज्यामुळे PWM सिग्नलची ड्रायव्हिंग क्षमता आणखी सुधारू शकते.

प्राथमिक पल्स ट्रान्सफॉर्मर ऊर्जा स्टोरेज रिलीझ सर्किटला देखील जोडलेला असतो, जेव्हा PWM सिग्नल कमी पातळीवर असतो तेव्हा PWM उच्च पातळीवर असताना ऊर्जा स्टोरेज रिलीझ सर्किट पल्स ट्रान्सफॉर्मरमध्ये साठवलेली ऊर्जा सोडते, याची खात्री करून पहिल्या MOSFET आणि दुसऱ्या MOSFET चा स्त्रोत अत्यंत कमी आहे, जो हस्तक्षेप रोखण्यात भूमिका बजावते.

विशिष्ट अंमलबजावणीमध्ये, PWM कंट्रोल चिपच्या सिग्नल आउटपुट टर्मिनल A आणि पल्स ट्रान्सफॉर्मर Tl च्या प्राथमिक दरम्यान सिग्नल ॲम्प्लीफिकेशनसाठी कमी-पावर MOSFET Q1 जोडलेले आहे, पल्स ट्रान्सफॉर्मरच्या दुय्यमचे पहिले आउटपुट टर्मिनल कनेक्ट केलेले आहे. डायोड D1 द्वारे पहिल्या MOSFET Q4 चे गेट आणि ड्रायव्हिंग रेझिस्टर Rl, दुसरे आउटपुट पल्स ट्रान्सफॉर्मरचे दुय्यम टर्मिनल डायोड D2 आणि ड्रायव्हिंग रेझिस्टर R2 द्वारे दुसऱ्या MOSFET Q5 च्या गेटशी जोडलेले आहे आणि पल्स ट्रान्सफॉर्मरच्या दुय्यम टर्मिनलचे पहिले आउटपुट टर्मिनल देखील पहिल्या ड्रेन ट्रायोड Q2 शी जोडलेले आहे, आणि दुसरा ड्रेन ट्रायोड Q3 देखील दुसऱ्या ड्रेन ट्रायोड Q3 शी जोडलेला आहे. MOSFET Q5, पल्स ट्रान्सफॉर्मर दुय्यम चे पहिले आउटपुट टर्मिनल देखील पहिल्या ड्रेन ट्रान्झिस्टर Q2 शी जोडलेले आहे आणि पल्स ट्रान्सफॉर्मर दुय्यमचे दुसरे आउटपुट टर्मिनल देखील दुसऱ्या ड्रेन ट्रान्झिस्टर Q3 शी जोडलेले आहे.

पहिल्या MOSFET Q4 चे गेट ड्रेन रेझिस्टर R3 शी जोडलेले आहे आणि दुसऱ्या MOSFET Q5 चे गेट ड्रेन रेझिस्टर R4 शी जोडलेले आहे. पल्स ट्रान्सफॉर्मर Tl चे प्राथमिक देखील ऊर्जा साठवण आणि रिलीझ सर्किटशी जोडलेले आहे, आणि ऊर्जा संचयन आणि रिलीझ सर्किटमध्ये एक रेझिस्टर R5, एक कॅपेसिटर Cl आणि एक डायोड D3 समाविष्ट आहे आणि रेझिस्टर R5 आणि कॅपेसिटर Cl जोडलेले आहेत. समांतर, आणि उपरोक्त समांतर सर्किट डायोड D3 सह मालिकेत जोडलेले आहे. PWM कंट्रोल चिप मधील PWM सिग्नल आउटपुट लो-पॉवर MOSFET Q2 शी जोडलेले आहे आणि लो-पॉवर MOSFET Q2 हे पल्स ट्रान्सफॉर्मरच्या दुय्यम भागाशी जोडलेले आहे. कमी-पॉवर MOSFET Ql द्वारे वाढविले जाते आणि पल्स ट्रान्सफॉर्मर Tl च्या प्राथमिकवर आउटपुट केले जाते. जेव्हा PWM सिग्नल जास्त असतो, तेव्हा पल्स ट्रान्सफॉर्मरच्या दुय्यम आउटपुट टर्मिनल आणि दुय्यम आउटपुट टर्मिनल Tl आउटपुट उच्च पातळीचे सिग्नल प्रथम MOSFET Q4 आणि दुसरे MOSFET Q5 चालविण्यास चालवितात.

जेव्हा PWM सिग्नल कमी असतो, तेव्हा पल्स ट्रान्सफॉर्मरचे पहिले आउटपुट आणि दुसरे आउटपुट Tl दुय्यम आउटपुट कमी पातळीचे सिग्नल, पहिला ड्रेन ट्रान्झिस्टर Q2 आणि दुसरा ड्रेन ट्रान्झिस्टर Q3 कंडक्शन, ड्रेन रेझिस्टर R3 द्वारे प्रथम MOSFETQ4 गेट सोर्स कॅपेसिटन्स, डिस्चार्जसाठी पहिला ड्रेन ट्रान्झिस्टर Q2, दुसरा MOSFETQ5 गेट स्त्रोत ड्रेन रेझिस्टर R4 द्वारे कॅपेसिटन्स, डिस्चार्जसाठी दुसरा ड्रेन ट्रान्झिस्टर Q3, ड्रेन रेझिस्टर R4 द्वारे दुसरा MOSFETQ5 गेट सोर्स कॅपेसिटन्स, डिस्चार्जसाठी दुसरा ड्रेन ट्रान्झिस्टर Q3, दुसरा MOSFETQ5 गेट सोर्स कॅपेसिटन्स ड्रेन रेझिस्टर R4 द्वारे, डिस्चार्जसाठी ट्रान्झिस्टर Q3. दुसरा MOSFETQ5 गेट सोर्स कॅपॅसिटन्स ड्रेन रेझिस्टर R4 आणि दुसरा ड्रेन ट्रान्झिस्टर Q3 द्वारे डिस्चार्ज केला जातो, ज्यामुळे पहिला MOSFET Q4 आणि दुसरा MOSFET Q5 जलद बंद करता येतो आणि वीज हानी कमी करता येते.

जेव्हा PWM सिग्नल कमी असतो, तेव्हा रेझिस्टर R5, कॅपेसिटर Cl आणि डायोड D3 ने बनलेला संग्रहित ऊर्जा रिलीझ सर्किट PWM जास्त असतो तेव्हा पल्स ट्रान्सफॉर्मरमध्ये संग्रहित ऊर्जा सोडते, हे सुनिश्चित करते की पहिल्या MOSFET Q4 आणि दुसऱ्या MOSFET चे गेट स्त्रोत. Q5 अत्यंत कमी आहे, जो हस्तक्षेप-विरोधी उद्देश पूर्ण करतो. डायोड Dl आणि डायोड D2 आउटपुट करंट एकदिशात्मकपणे चालवतात, अशा प्रकारे PWM वेव्हफॉर्मची गुणवत्ता सुनिश्चित करते आणि त्याच वेळी, ते काही प्रमाणात हस्तक्षेप विरोधी भूमिका देखील बजावते.